IGBT-module 1200V

Symbool

Beschrijving

GD800HFL120C3S

Eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

± 20

V.

I C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

1250

A

800

I CM(1)

Pulsed Collectorstroom t P = 1ms

1600

A

I F

Diode met continue voorstroom

800

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom

1600

A

P D

Maximaal vermogen t j =150 ℃

4310

W

t SC

Kortsluitweerstandstijd @ T j =125 ℃

10

μs

t j

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

℃

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

℃

I 2t-waarde, Diode

V. r =0V, t=10ms, T j =125 ℃

140

kA 2s

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V.

Montage

Koppel

Vermogensterminal Schroef:M4

Vermogensterminal Schroef:M8

1.7 tot 2.3

8,0 tot 10

N.m

Montage Schroef:M6

4.25 tot 5.75

N.m

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

BV CES

Collector-Emitter

Breekspanning

t j =25 ℃

1200

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V. CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter

stroom

V. GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. GE (de)

De grenswaarde voor de poort-emitter

Spanning

I C =32mA,V CE =V GE , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

V.

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =800A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.8

V.

I C =800A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.0

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

Q GE

Gate-lading

I C =800A,V CE =600V,

V. GE =-15…+15V

11.5

μC

t De volgende categorieën

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =800A,

r Gaat u goed? = 3,3Ω,

r Goff. =0.39Ω,

V. GE =± 15V,T j =25 ℃

600

n

t r

Opstijgtijd

230

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

820

n

t F

Ouderdom

150

n

t De volgende categorieën

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =800A,

r Gaat u goed? = 3,3Ω,

r Goff. =0.39Ω,

V. GE =± 15V,T j =125 ℃

660

n

t r

Opstijgtijd

220

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

960

n

t F

Ouderdom

180

n

E Aan

Aanzetten Schakelverlies

160

mJ

E Afgeschakeld

Uitschakel schakelverlies

125

mJ

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

61.8

nF

C oes

Uitgangscondensator

4.2

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

2.7

nF

I SC

SC-gegevens

t s C ≤ 10μs,V GE =15V, t j =125 ℃ ,

V. CC = 900V, V. CEM ≤ 1200V

3760

A

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC + EE ’

Module-leidingweerstand ce, Terminal naar chip

t C =25 ℃

0.18

m Ω

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F =800A

t j =25 ℃

2.4

V.

t j =125 ℃

2.2

Q r

Diode omgekeerd

terugvorderingsheffing

I F =800A,

V. r =600V,

di/dt=-3600A/μs, V. GE =-15V

t j =25 ℃

37

μC

t j =125 ℃

90

I RM

Diode piek

Omgekeerd herstel stroom

t j =25 ℃

260

A

t j =125 ℃

400

E rec

Omgekeerd herstel Energie

t j =25 ℃

9

mJ

t j =125 ℃

24

Symbool

Parameter

- Een type.

Max.

Eenheid

r θJC

Junctie-naar-behuizing (IGBT-deel, per 1/2 Module)

0.029

K/W

r θJC

Junctie-naar-behuizing (diode-deel, per 1/2 Module)

0.052

K/W

r θCS

De waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van

(Geconducteerde vet aangebracht, per Module)

0.006

K/W

Gewicht

Gewicht van Module

1500

G