IGBT-module 1200V

Symbool

Beschrijving

GD450HFT120C6S_G8

Eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

± 30

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 ℃

@ T C =100 ℃

660

450

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

900

A

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

450

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

900

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j =17 5℃

2083

W

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

℃

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

℃

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

℃

V. iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V.

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M5

3,0 tot 6.0

3,0 tot 6.0

N.m

G

Gewicht van Module

910

G

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. (BR )CES

Collector-Emitter

Breekspanning

t j =25 ℃

1200

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 450A, r G = 1,5Ω,

V. GE =±15V, t j =25 ℃

360

n

t r

Opstijgtijd

140

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

550

n

t F

Ouderdom

146

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

11.5

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

48.0

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 450A, r G = 1,5Ω,

V. GE =±15V, t j =125 ℃

374

n

t r

Opstijgtijd

147

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

623

n

t F

Ouderdom

178

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

17.9

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

64.5

mJ

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =30V, f=1MHz,

V. GE =0V

39.0

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

1.26

nF

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V. GE =15V,

t j =125 ℃ ,V CC = 900V, V. CEM ≤ 1200V

1800

A

r Gint

Interne poortweerstand aas

0.67

Ω

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC+EE

Module Lead

Weerstand,

Terminal naar chip

1.10

mΩ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F = 450 A

t j =25 ℃

1.65

2.25

V.

t j =125 ℃

1.65

Q r

Hersteld

Opladen

I F = 450A,

V. r =600V,

r G = 1,5Ω,

V. GE =-15V

t j =25 ℃

41.6

μC

t j =125 ℃

77.5

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

t j =25 ℃

241

A

t j =125 ℃

325

E rec

Omgekeerd herstel Energie

t j =25 ℃

23.2

mJ

t j =125 ℃

43.1

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

r 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van r 100

r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

Symbool

Parameter

- Een type.

Max.

Eenheid

r θ JC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

0.072

K/W

r θ JC

De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.110

K/W

r θ CS

De in de bijlage vermelde gegevens zijn van toepassing op de in de bijlage vermelde producten. (vervolgens:

0.005

K/W