GD450HFL170C2S, IGBT-module, STARPOWER

IGBT-module 1700V

GD450HFL170C2S,IGBT-module,STARPOWER

1700V 450A

Brand:

Stardragers

Spu:

GD450HFL170C2S

Inleiding
Overzicht

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1700V 450A.

Kenmerken

Laag VCE (sat) SPT+ IGBT Technologie
10 μs kortsluiting
VCE (sat) Met positief Temperatuur coëfficiënt
Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typisch Toepassingen

andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
Windturbine
Hoge vermogensomvormer

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
VCES	Spanning van de collectieverzender	1700	V.
VGES	Spanning van de poort-emitter	±20	V.
Ic	Collectorstroom @ TC=25oC @ TC=95oC	683 450	A
ICM	Pulsed Collectorstroom tp=1ms	900	A
PD	Maximale vermogensafvoer T =175oC	2678	W

Diode

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V. RRM	Herhalende piektalen omgekeerde spanning	1700	V.
I F	Diode continue voorwaartscur huur	450	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	900	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t jmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t - Jaap.	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuur Bereik	-40 tot +125	O C
V. iso	Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.	4000	V.

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
VCE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC		2.00	2.45	V.
		IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC		2.40
		IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC		2.50
VGE (de)	Gate-Emitter Drempelspanning	IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC	5.4	6.1	7.4	V.
ICES	Verzamelaar-afsluiting stroom	VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25oC			5.0	mA
IGES	Gate-Emitter Lekkage Stroom	De in punt 2 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd op een temperatuur van ongeveer 30 °C.			400	NA
RGint	Interne poortweerstand			0.3		Ω
Cies	Ingangs capaciteit	VCE=25V, f=1MHz, VGE=0V		30.0		nF
Cres	Omgekeerde overdracht Vermogen	VCE=25V, f=1MHz, VGE=0V		1.08		nF
Qg	Gate-lading	VGE=-15…+15V		2.70		μC
Td (aan)	Tijd voor de inlichtingsachterstand	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC		504		n
- Het is...	Opstijgtijd			183		n
Td (uit)	Vertragingstijd voor uitschakeling			616		n
TF	Ouderdom			188		n
EON	Aan- en uitwisselingsfunctie Verlies			126		mJ
EOFF	Afschakeling Verlies			89		mJ
Td (aan)	Tijd voor de inlichtingsachterstand	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC		506		n
- Het is...	Opstijgtijd			194		n
Td (uit)	Vertragingstijd voor uitschakeling			704		n
TF	Ouderdom			352		n
EON	Aan- en uitwisselingsfunctie Verlies			162		mJ
EOFF	Afschakeling Verlies			124		mJ
Td (aan)	Tijd voor de inlichtingsachterstand	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC		510		n
- Het is...	Opstijgtijd			198		n
Td (uit)	Vertragingstijd voor uitschakeling			727		n
TF	Ouderdom			429		n
EON	Aan- en uitwisselingsfunctie Verlies			174		mJ
EOFF	Afschakeling Verlies			132		mJ
Isc	SC-gegevens	De in punt 3.4.1 bedoelde parameters zijn: Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V		1440		A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V. F	Diode naar voren Spanning	I F = 450 A,V GE =0V,T j =25 O C		1.87	2.32	V.
		I F = 450 A,V GE =0V,T j = 125O C		2.00
		I F = 450 A,V GE =0V,T j = 150O C		2.05
Q r	Teruggevorderde heffing	V. r = 900V,I F = 450A, - di/dt=3000A/μs,V GE =-15V t j =25 O C		107		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			519		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			75		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V. r = 900V,I F = 450A, - di/dt=3000A/μs,V GE =-15V t j = 125O C		159		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			597		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			113		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V. r = 900V,I F = 450A, - di/dt=3000A/μs,V GE =-15V t j = 150O C		170		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			611		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			119		mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking			20	nH
r CC+EE	Module loodweerstand, terminal tot chip		0.35		mΩ
r thJC	De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)			0.056 0.112	K/W
r thCH	De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. Diode) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)		0.105 0.210 0.035		K/W
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m
G	Gewicht van Module		300		G