IGBT-module 1700V

Symbool

Beschrijving

GD300HFT170C2S

Eenheid

VCES

Collector-Emitter Spanning

1700

V.

VGFs

Gate-Emitter Spanning

±20

V.

Ic

Verzamelaar stroom @Tc=25℃

@Tc=80℃

550

A

300

IcM(1)

Pulsed Verzamelaar stroom tp= 1MS

600

A

Ir

Diode Doorlopend Vooruit stroom

300

A

IM

Diode Maximum Vooruit stroom

600

A

PP

Maximum Vermogen dissipatie @Tj=175℃

2083

W

Tsc

Kort Circuit Weerstand. Tijd @Tj =125℃

10

μs

Tjmax

Maximum Junctie Temperatuur

175

℃

TSTG

Opslag Temperatuur Bereik

-40 to+125

℃

I²t-waarde,Diode

VR=0V,t=10ms,Tj=125℃

14500

A²s

VISO

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V.

Montage Koppel

Vermogen Terminal Schroef :M6

2.5 Om 5.0

N.m

Montage Schroef:M6

3.0 Om 5.0

N.m

Symbool

Parameter

Test Condities

Min. .

typ .

Maximaal .

Eenheid

BVcrs

Collector-Emitter

Doorbraak Spanning

VGe=0V,Ic=4.0mA, T=25℃

1700

V.

ICES

Verzamelaar Afsluiting stroom

VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25℃

3.0

mA

IGrs

Gate-Emitter lekkage stroom

VGr=VGes,Vcn=0V, T=25℃

400

NA

Symbool

Parameter

Test Condities

Min. .

- Een type.

Maximaal .

Eenheid

Vcπ(h)

Gate-Emitter Drempel Spanning

Ie=12.0mA,Vcr=VGE T=25℃

5.2

5.8

6.4

V.

VCE (sat)

Verzamelaar Om Emittent Verzadiging Spanning

Ic=300A,VGr=15V, T=25℃

2.0

V.

Ic =300A, VGr =15V. T=125℃

2.4

Symbool

Parameter

Test Condities

Min. .

- Een type.

Maximaal .

Eenheid

taon)

Aanzetten Vertraging Tijd

Vcc=900V,Ic=300A, Ra=4.72,

Vae=±15V, T=25℃

281

n

t

Stijging Tijd

82

n

ta (o)

Afsluiting Vertraging Tijd

801

n

- Het is...

Val Tijd

Vcc=900V,Ic=300A,

Rc=4.72,

V=±15V

T=25℃

121

n

EON

Aanzetten Schakelen

Verlies

70

mJ

Eofr

Afsluiting Schakelen

Verlies

65

mJ

ta(on)

Aanzetten Vertraging Tijd

Vcc=900V,Ic=300A,

RG=4.72,

Vc=±15V T=125℃

303

n

t

Stijging Tijd

103

n

ta(om)

Afsluiting Vertraging Tijd

1002

n

- Het is...

Val Tijd

203

n

EON

Aanzetten Schakelen

Verlies

105

mJ

Eor

Afsluiting Schakelen

Verlies

94

mJ

Cies

Invoer Vermogen

VCE=25V, f=1MHz,

VGr=0V

27.0

nF

Coes

Uitgang Vermogen

1.1

nF

Cres

Omgekeerd Overdracht

Vermogen

0.9

nF

Isc

SC Gegevens

tsc≤10μs,VGE=15V,

T=125℃,

Vcc=1000V

VcrM≤1700V

1200

A

RGint

Intern Gate Weerstand CE

2.5

Ω

LCr

Afwijking Inductantie

20

nH

RcC'+EE'

Module Lood Weerstand, Terminal Om Chip

Tc=25℃

0.35

m2

Symbool

Parameter

Test Condities

Min. .

- Een type.

Maximaal .

Eenheid

VR

Diode Vooruit

Spanning

Iq=300A

Tj=25℃

1.8

V.

Ti=125℃

1.9

Q

Diode Omgekeerd

Herstel Opladen

Ir=300A,

Vr=900V,

di/dt=-3600A/μs,

VGr=-15V

T=25℃

77

μC

Tj=125℃

131

IRM

Diode De hoogtepunt

Omgekeerd Herstel stroom

Tj=25℃

351

A

T=125℃

383

Eree

Omgekeerd Herstel Energie

Tj=25℃

40

mJ

Tj=125℃

72

Symbool

Parameter

- Een type.

Maximaal .

Eenheid

Rac

Junctie -Om -Geval (IGBT Deel , per 1/2 Modu le)

0.072

K/W

Rac

Junctie -Om -Geval (Diode Deel , P er 1/2 Module)

0.13

K/W

Roc

De waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van (Geconducteerd vet toegepast)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht van Module

300

G