ALLE CATEGORIEËN

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD225HTT120C7S,IGBT Module,6 in een verpakking,STARPOWER

1200V 225A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD225HTT120C7S
  • Inleiding
  • Overzicht
  • Equivalent Circuit Schematic
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1200V 225A. Ik ben een

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • Lage schakellosses
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken stroomvoorziening Y

IGBT -Inverter t C =25 tenzij anders Opgemerkt

Maximale nominale waarden

Symbool

Beschrijving

GD225HTT120C7S

Eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender @ T j =25

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter @ T j =25

±20

V.

I C

Collectorstroom @ t C =25

@ T C =80

400

225

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 MS

450

A

P tot

Totale vermogensverliezen @ T j = 175

1442

W

Uitschakelkenmerken

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. (BR )CES

Collector-Emitter

Breekspanning

t j =25

1200

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t j =25

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25

400

NA

Inschakelkenmerken

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =9.0 mA ,V. CE = V. GE , t j =25

5.0

5.8

6.5

V.

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =225A,V GE =15V, t j =25

1.70

2.15

V.

I C =225A,V GE =15V, t j =125

2.00

Schakelkenmerken

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =225A, r G = 3,3Ω,V GE =±15V, t j =25

251

n

t r

Opstijgtijd

89

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

550

n

t F

Ouderdom

125

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

/

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

/

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =225A, r G = 3,3Ω,V GE =±15V, t j =125

305

n

t r

Opstijgtijd

100

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

660

n

t F

Ouderdom

162

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

15.1

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

35.9

mJ

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

16.0

nF

C oes

Uitgangscondensator

0.84

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.73

nF

Q G

Gate-lading

V. CC = 600V,I C =225A, V. GE =15V

2.1

μC

r Gint

Interne poortweerstand

3.3

Ω

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V. CC = 900V, V. CEM ≤ 1200V

900

A

Diode -Inverter t C =25 tenzij anders Opgemerkt

Maximale nominale waarden

Symbool

Beschrijving

GD225HTT120C7S

Eenheid

V. RRM

Herhalende piek omgekeerde spanning @ T j =25

1200

V.

I F

DC Voorwaartse Stroom @ T C =80

225

A

I FRM

Herhalende Pieksgewijze Voorwaartse Stroom t P =1 ms

450

A

Kenmerkenwaarden

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F =225A,

V. GE =0V

t j =25

1.65

2.15

V.

t j =125

1.65

Q r

Teruggevorderde heffing

I F =225A,

V. r =600V,

r G = 3,3Ω,

V. GE =-15V

t j =25

22

μC

t j =125

43

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

t j =25

160

A

t j =125

198

E rec

Omgekeerd herstel Energie

t j =25

11.2

mJ

t j =125

19.9

Elektrisch Kenmerken van NTC t C =25 tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

r 25

Nominale weerstand

5.0

∆R/R

Afwijking van r 100

r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

IGBT-module

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut

2500

V.

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC+EE

Module leidingweerstand e, Terminal naar Chip @ T C =25

1.10

r θ JC

Aansluiting-tot-Geval (per IGBT-inverter) Aansluiting-tot-Geval (per DIODE-inverter ter)

0.104

0.173

K/W

r θ CS

De in punt 3.4.1 bedoelde "verbinding" is een verbinding tussen de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de gelogen)

0.005

K/W

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

t STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40

125

Montage Koppel

Voedingsaansluitschroef:M6

Montage Schroef:M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

G

Gewicht van Module

910

G

Overzicht

Equivalent Circuit Schematic

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000