ALLE CATEGORIEËN

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD225HTL120C7S,IGBT Module,6 in een verpakking,STARPOWER

1200V 225A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD225HTL120C7S
  • Inleiding
  • Overzicht
  • Equivalent Circuit Schematic
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1200V 225A. Ik ben een

Kenmerken

  • Laag VCE(sat) SPT+ IGBT-technologie
  • Lage schakellosses
  • 10 μs kortsluiting
  • Ruimte RBSOA
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken stroomvoorziening Y

IGBT -Inverter t C =25 tenzij anders Opgemerkt

Maximale nominale waarden

Symbool

Beschrijving

GD225HTL120C7S

Eenheid

V. CES

Collector-Emitter Spanning @ T j =25

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

± 20

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C = 25

@ T C = 100

400

225

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

450

A

P tot

Totale vermogensverliezen @ T j = 175

1973

W

Uitschakelkenmerken

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. (BR )CES

Collector-Emitter

Breekspanning

t j =25

1200

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t j =25

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter

stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25

400

NA

Inschakelkenmerken

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter

Spanning

I C =9.0 mA ,V. CE = V. GE , t j =25

5.0

6.2

7.0

V.

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =225A,V GE =15V, t j =25

1.90

2.35

V.

I C =225A,V GE =15V, t j = 125

2.10

Schakelkenmerken

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

Q G

Gate-lading

V. GE - Ik ben niet... 15...+15V

2.3

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =225A, r G =5.0Ω,V GE = ± 15 V, t j =25

168

n

t r

Opstijgtijd

75

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

440

n

t F

Ouderdom

55

n

E Aan

Aan- en uitwisselingsfunctie

Verlies

27.9

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

37.2

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =225A, r G =5.0Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125

176

n

t r

Opstijgtijd

75

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

510

n

t F

Ouderdom

75

n

E Aan

Aan- en uitwisselingsfunctie

Verlies

13.5

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

22.5

mJ

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

16.6

nF

C oes

Uitgangscondensator

1.20

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.78

nF

I SC

SC-gegevens

t s C 10μs,V GE 15 V, t j =125 ,V CC =600V, V. CEM 1200V

1050

A

r Gint

Interne poortweerstand tance

1.0

Ω

Diode -Inverter t C =25 tenzij anders Opgemerkt

Maximale nominale waarden

Symbool

Beschrijving

GD225HTL120C7S

Eenheid

V. RRM

Collector-Emitter Spanning @ T j =25

1200

V.

I F

DC Voorwaartse Stroom @ T C =80

225

A

I FRM

Herhalende Pieksgewijze Voorwaartse Stroom t P =1 ms

450

A

Kenmerkenwaarden

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F =225A, V. GE =0V

t j =25

1.80

2.20

V.

t j = 125

1.85

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 600 V,

I F =225A,

r G =5.0Ω,

V. GE - Ik ben niet... 15V

t j =25

30

μC

t j = 125

57

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

t j =25

195

A

t j = 125

255

E rec

Omgekeerd herstel Energie

t j =25

10.8

mJ

t j = 125

22.5

Elektrisch Kenmerken van NTC t C =25 tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

r 25

Nominale weerstand

5.0

∆R/R

Afwijking van r 100

t C = 100R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

r 2=R 25exp[B 25/50 1/T 2- 1/(298.1 5K))]

3375

K

IGBT-module

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V.

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC + EE

Module leidingweerstand, terminal naar chip @ T C =25

1.1

m Ω

r θ JC

De Commissie heeft de Commissie verzocht de volgende informatie te verstrekken: BT)

De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.076

0.154

K/W

r θ CS

Cas-to-Sink (geleidend vet) toegepast)

0.005

K/W

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40

125

Montage

Koppel

Vermogensterminalschroef:M5

3.0

6.0

N.m

Montage Schroef:M6

3.0

6.0

N.m

Gewicht

Gewicht van Module

910

G

Overzicht

Equivalent Circuit Schematic

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000