IGBT-module 1200V

Symbool

Beschrijving

GD200SGL120C2S

Eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

± 20

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

400

A

200

I CM (1)

Pulsed Collector Curre nt

400

A

I F

Diode met continue voorstroom

200

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom huur

400

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175℃

1875

W

t SC

Kortsluitweerstandstijd @ T j =125 ℃

10

μs

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

℃

t j

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

℃

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

℃

I 2t-waarde, Diode

V. r =0V, t=10ms, T j =125 ℃

6900

A 2s

V. iso

Isolatiespanning RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V.

Montagetorque

Voedingsaansluitschroef:M6

2,5 tot 5

N.m

Montage Schroef:M6

3 Om 6

N.m

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

BV CES

Collector-Emitter

Breekspanning

t j =25 ℃

1200

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter

stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter

Spanning

I C =4 mA ,V. CE = V. GE , t j =25 ℃

5

6.2

7.0

V.

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.8

V.

I C =200A,V GE =15V, t j = 125℃

2.0

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =200A,

r G =5Ω, V GE = ± 15 V,

110

n

t r

Opstijgtijd

60

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

t j =25 ℃

360

n

t F

Ouderdom

V. CC = 600V,I C =200A,

r G =5Ω, V GE = ± 15 V,

t j =25 ℃

60

n

E Aan

Aan- en uitwisselingsfunctie Verlies

18

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

15

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =200A,

r G =5Ω,V GE = ± 15 V,

t j = 125℃

120

n

t r

Opstijgtijd

60

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

420

n

t F

Ouderdom

70

n

E Aan

Aan- en uitwisselingsfunctie Verlies

21

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

18

mJ

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

18.0

nF

C oes

Uitgangscondensator

1.64

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.72

nF

I SC

SC-gegevens

t s C ≤ 10 μs, V GE =15 V,

t j =125 ℃ , V CC = 900V,

V. CEM ≤ 1200V

1080

A

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC + EE ’

Module Lead

weerstand, terminal Om Chip

t C =25 ℃

0.18

m Ω

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F =200A

t j =25 ℃

2.0

2.2

V.

t j = 125℃

2.2

2.3

Q r

Diode omgekeerd

terugvorderingsheffing

I F =200A,

V. r =600V,

een vermogen van meer dan 10 kW, V. GE - Ik ben niet... 15V

t j =25 ℃

24

μC

t j = 125℃

32

I RM

Diode piek

Omgekeerd herstel stroom

t j =25 ℃

240

A

t j = 125℃

280

E rec

Omgekeerd herstel Energie

t j =25 ℃

6

mJ

t j = 125℃

10

Symbool

Parameter

- Een type.

Max.

Eenheid

r θ JC

Junctie-naar-Behuising (IGBT Deel, pe r Module)

0.08

K/W

r θ JC

Verbinding met de behuizing (diode-deel, per module) e)

0.17

K/W

r θ CS

Behuizing-naar-koeler (geleidend vet a pplied)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht van Module

310

G