ALLE CATEGORIEËN

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD200MLT120C2S,3-niveau ,IGBT Module,STARPOWER

1200V 200A, 3-niveau

Brand:
Stardragers
Spu:
GD200MLT120C2S
  • Inleiding
  • Overzicht
  • Equivalent Circuit Schematic
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module , 3-niveau ,gemaakt door STARPOWER. 1200V 200A. Ik ben een

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • Lage schakelverliezen
  • 10 μs kortsluiting
  • Geval met lage inductance
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

  • Zonne-energie
  • UPS
  • 3-niveaus-toepassingen

IGBT t 1 T2 T3 T4 t C =25 tenzij anders Opgemerkt

Maximale nominale waarden

Symbool

Beschrijving

GD200MLT120C2S

Eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender @ T j =25

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter @ T j =25

±20

V.

I C

Collectorstroom @ t C =25

@ T C =80

360

200

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 MS

400

A

P tot

Totale vermogensverliezen @ T j = 175

1163

W

Uitschakelkenmerken

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. (BR )CES

Collector-Emitter

Breekspanning

t j =25

1200

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t j =25

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25

400

NA

Inschakelkenmerken

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =8.0 mA ,V. CE = V. GE , t j =25

5.0

5.8

6.5

V.

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =200A,V GE =15V, t j =25

1.70

2.15

V.

I C =200A,V GE =15V, t j =125

2.00

Schakelkenmerken

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =200A, r G =3.6Ω,V GE =±15V, t j =25

248

n

t r

Opstijgtijd

88

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

540

n

t F

Ouderdom

131

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

9.85

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

22.8

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =200A, r G =3.6Ω,V GE =±15V, t j = 125

298

n

t r

Opstijgtijd

99

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

645

n

t F

Ouderdom

178

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

15.1

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

34.9

mJ

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

14.4

nF

C oes

Uitgangscondensator

0.75

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.65

nF

Q G

Gate-lading

V. CC = 600V,I C =200A, V. GE =-15 +15V

1.90

μC

r Gint

Interne poortweerstand

3.8

Ω

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

t j =125 ℃,V CC = 900V, V. CEM ≤ 1200V

800

A

Diode D 1 D2 D3 D4 t C =25 tenzij anders Opgemerkt

Maximale nominale waarden

Symbool

Beschrijving

GD200MLT120C2S

Eenheid

V. RRM

Herhalende piek omgekeerde spanning @ T j =25

1200

V.

I F

DC Voorwaartse Stroom T C =8 0

200

A

I FRM

Herhalende Pieksgewijze Voorwaartse Stroom t P =1 ms

400

A

Kenmerkenwaarden

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F =200A

t j =25

1.65

2.10

V.

t j =125

1.65

Q r

Teruggevorderde heffing

I F =200A,

V. r =600V,

r G =3.6Ω,

V. GE =-15V

t j =25

20.0

μC

t j =125

26.1

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

t j =25

151

A

t j =125

190

E rec

Omgekeerd herstel Energie

t j =25

9.20

mJ

t j =125

17.1

Diode D 5 D6 t C =25 tenzij anders Opgemerkt

Maximale nominale waarden

Symbool

Beschrijving

GD200MLT120C2S

Eenheid

V. RRM

Herhalende piek omgekeerde spanning @ T j =25

1200

V.

I F

DC Voorwaartse Stroom T C =8 0

200

A

I FRM

Herhalende Pieksgewijze Voorwaartse Stroom t P =1 ms

400

A

Kenmerkenwaarden

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F =200A,

V. GE =0V

t j =25

1.65

2.10

V.

t j =125

1.65

Q r

Teruggevorderde heffing

I F =200A,

V. r =600V,

r G =3.6Ω,

V. GE =-15V

t j =25

20.0

μC

t j =125

26.1

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

t j =25

151

A

t j =125

190

E rec

Omgekeerd herstel Energie

t j =25

9.20

mJ

t j =125

17.1

IGBT-module

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.

2500

V.

r θ JC

Verbinding-junction-naar-kast (per IGBT T1 T2 T3 T4) Verbinding-junction-naar-kast (per Diode D1 D2 D3 D4) Verbinding-junction-naar-kast (per Diode D5 D6)

0.129 0.237 0.232

K/W

r θ CS

De in punt 3.4.1 bedoelde "verbinding" is een verbinding tussen de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de gelogen)

0.035

K/W

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40

150

t STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40

125

Montage Koppel

Voedingsaansluitschroef:M6

Montage schroef:M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

Gewicht

Gewicht Module

340

G

Overzicht

Equivalent Circuit Schematic

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000