GD200HFT120C8SN_G8, IGBT-module, STARPOWER

IGBT-module 1200V

GD200HFT120C8SN_G8,IGBT Module,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

Stardragers

Spu:

GD200HFT120C8SN_G8

Inleiding
Overzicht
Equivalent Circuit Schematic

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,gemaakt door STARPOWER. 1200V 200A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
Lage schakelverliezen
10 μs kortsluiting
Geval met lage inductance
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
met een vermogen van niet meer dan 50 W
Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V. CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V.
V. GES	Spanning van de poort-emitter	± 30	V.
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C = 100O C	329 200	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	400	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C	1102	W

Diode

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V. RRM	Herhalende piektalen omgekeerde spanning	1200	V.
I F	Diode continue voorwaartscur huur	200	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	400	A

Module

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
t jmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t - Jaap.	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuur Bereik	-40 tot +125	O C
V. iso	Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.	2500	V.

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V. CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =200A,V GE =15V, t j =25 O C		1.70	2.15	V.
		I C =200A,V GE =15V, t j =125 O C		1.95
		I C =200A,V GE =15V, t j =150 O C		2.00
V. GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =8.0 mA ,V. CE = V. GE , t j =25 O C	5.0	5.8	6.5	V.
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand aas			1.0		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V. CE =30V, f=1MHz, V. GE =0V		18.2		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V. CE =30V, f=1MHz, V. GE =0V		0.56		nF
Q G	Gate-lading	V. GE - Ik ben niet... 15...+15V		1.20		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V. CC = 600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j =25 O C		213		n
t r	Opstijgtijd			64		n
t D (Afgeschakeld )	Afsluiting Vertragingstijd			280		n
t F	Ouderdom			180		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			4.1		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			16.3		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V. CC = 600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j = 125O C		285		n
t r	Opstijgtijd			78		n
t D (Afgeschakeld )	Afsluiting Vertragingstijd			363		n
t F	Ouderdom			278		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			7.4		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			23.0		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V. CC = 600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j = 150O C		293		n
t r	Opstijgtijd			81		n
t D (Afgeschakeld )	Afsluiting Vertragingstijd			374		n
t F	Ouderdom			327		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			8.7		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			25.2		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs,V GE =15V, t j =150 O C,V CC = 900V, V. CEM ≤ 1200V		800		A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V. F	Diode naar voren Spanning	I F =200A,V GE =0V,T j =25 O C		2.15	2.55	V.
		I F =200A,V GE =0V,T j =125 O C		2.20
		I F =200A,V GE =0V,T j =150 O C		2.15
Q r	Hersteld Opladen	V. r = 600V,I F =200A, -di/dt=2800A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j =25 O C		16.2		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			169		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			10.2		mJ
Q r	Hersteld Opladen	V. r = 600V,I F =200A, -di/dt=2800A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j =125 O C		24.4		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			204		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			16.2		mJ
Q r	Hersteld Opladen	V. r = 600V,I F =200A, -di/dt=2800A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j =150 O C		31.4		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			222		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			19.4		mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking			22	nH
r CC+EE	Module leidingweerstand e, Terminal naar Chip		0.65		mΩ
r thJC	De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)			0.136 0.194	K/W
r thCH	De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)		0.156 0.223 0.046		K/W
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m
G	Gewicht van Module		200		G