IGBT-module 1200V

Symbool

Beschrijving

GD200HFT120C2S_T4

Eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I C

Collectorstroom @ t C =25 ℃

@ T C = 100℃

320

200

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 MS

400

A

I F

Diode continue voorwaartscur huur

200

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

400

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j =1 75℃

1103

W

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

℃

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

℃

t STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40 tot +125

℃

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.

4000

V.

Montage Koppel

Voedingsaansluitschroef:M6

Montage schroef:M6

2,5 tot 5.0

3,0 tot 5.0

N.m

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. (BR )CES

Collector-Emitter

Breekspanning

t j =25 ℃

1200

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =7.6 mA ,V. CE = V. GE , t j =25 ℃

5.2

5.8

6.4

V.

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.75

2.20

V.

I C =200A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.05

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =200A, r G =2.4Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃

162

n

t r

Opstijgtijd

39

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

451

n

t F

Ouderdom

98

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

10.1

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

13.9

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =200A, r G =2.4Ω,V GE =±15V, t j =125 ℃

171

n

t r

Opstijgtijd

45

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

522

n

t F

Ouderdom

160

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

15.2

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

20.0

mJ

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

12.3

nF

C oes

Uitgangscondensator

0.81

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.69

nF

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V. CC = 900V, V. CEM ≤ 1200V

800

A

Q G

Gate-lading

V. GE =-15 ﹍+15V

1.81

μC

r Gint

Interne poortweerstand aas

3.8

Ω

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC+EE

Module Lead

Weerstand,

Terminal naar chip

0.35

mΩ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F =200A

V. GE =0V

t j =25 ℃

1.65

2.10

V.

t j =125 ℃

1.65

Q r

Hersteld

Opladen

I F =200A,

V. r =600V,

r G =2.4Ω,

V. GE =-15V

t j =25 ℃

20.1

μC

t j =125 ℃

32.0

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

t j =25 ℃

232

A

t j =125 ℃

248

E rec

Omgekeerd herstel Energie

t j =25 ℃

9.00

mJ

t j =125 ℃

17.6

Symbool

Parameter

- Een type.

Max.

Eenheid

r θ JC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

0.136

K/W

r θ JC

De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.202

K/W

r θ CS

De in punt 3.4.1 bedoelde "verbinding" is een verbinding tussen de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de onderdelen van de gelogen)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht Module

300

G