GD200HFT120C2S_G8, IGBT-module, STARPOWER

IGBT-module 1200V

GD200HFT120C2S_G8,IGBT Module,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

Stardragers

Spu:

GD200HFT120C2S_G8

Inleiding
Overzicht
Equivalent Circuit Schematic

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,gemaakt door STARPOWER. 1200V 200A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
Lage schakelverliezen
10 μs kortsluiting
Geval met lage inductance
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
met een vermogen van niet meer dan 50 W
Ononderbroken stroomvoorziening

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 ℃ tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V. CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V.
V. GES	Spanning van de poort-emitter	± 30	V.
I C	Collectorstroom @ t C =25 ℃ @ T C = 100℃	330 200	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 MS	400	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T j =1 75℃	1103	W

Diode

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V. RRM	Herhalende piektalen omgekeerde spanning	1200	V.
I F	Diode continue voorwaartscur huur	200	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	400	A

Module

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
t jmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	℃
t - Jaap.	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	℃
t STG	Opslagtemperatuur Bereik	-40 tot +125	℃
V. iso	Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.	4000	V.
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6	2,5 tot 5.0 3,0 tot 5.0	N.m

IGBT Kenmerken t C =25 ℃ tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V. CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃		1.70	2.15	V.
		I C =200A,V GE =15V, t j =125 ℃		1.95
		I C =200A,V GE =15V, t j =150 ℃		2.00
V. GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =8.0 mA ,V. CE = V. GE , t j =25 ℃	5.0	5.8	6.5	V.
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t j =25 ℃			5.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 ℃			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand aas			1.0		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V. CE =30V, f=1MHz, V. GE =0V		18.2		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V. CE =30V, f=1MHz, V. GE =0V		0.56		nF
Q G	Gate-lading	V. GE =15V		1.20		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V. CC = 600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃		213		n
t r	Opstijgtijd			64		n
t D (Afgeschakeld )	Afsluiting Vertragingstijd			280		n
t F	Ouderdom			180		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			4.10		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			16.3		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V. CC = 600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j = 125℃		285		n
t r	Opstijgtijd			78		n
t D (Afgeschakeld )	Afsluiting Vertragingstijd			363		n
t F	Ouderdom			278		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			7.40		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			23.0		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V. CC = 600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j = 150℃		293		n
t r	Opstijgtijd			81		n
t D (Afgeschakeld )	Afsluiting Vertragingstijd			374		n
t F	Ouderdom			327		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			8.70		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			25.2		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs,V GE =15 V, t j =150 °C, V. CC = 900V, V. CEM ≤ 1200V		800		A

Diode Kenmerken t C =25 ℃ tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V. F	Diode naar voren Spanning	I C =200A,V GE =0V,T j =25 ℃		2.15	2.55	V.
		I C =200A,V GE =0V,T j = 125℃		2.20
		I C =200A,V GE =0V,T j = 150℃		2.15
Q r	Hersteld Opladen	V. r = 600V,I F =200A, r G =3.0Ω, V. GE =-15V t j =25 ℃		16.2		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			169		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			10.2		mJ
Q r	Hersteld Opladen	V. r = 600V,I F =200A, r G =3.0Ω, V. GE =-15V t j = 125℃		24.4		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			204		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			16.2		mJ
Q r	Hersteld Opladen	V. r = 600V,I F =200A, r G =3.0Ω, V. GE =-15V t j = 150℃		31.4		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			222		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			19.4		mJ

Module Kenmerken t C =25 ℃ tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking			20	nH
r CC+EE	Module leidingweerstand e, Terminal naar Chip		0.35		mΩ
r θ JC	De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)			0.136 0.194	K/W
r θ CS	De in punt 5.2.4.1 bedoelde parameters worden in de tabel van bijlage 3 bij Verordening (EG) nr. 715/2009 van het Europees Parlement en de Raad [2] weergegeven. De in punt 3.4.1 bedoelde parameters zijn van toepassing op de volgende modellen:		0.060 0.085		K/W
r θ CS	De waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van		0.035		K/W
G	Gewicht van Module		300		G