GD200HFT120C1S_G8,IGBT Module,STARPOWER

IGBT-module 1200V

GD200HFT120C1S_G8,IGBT Module,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

Stardragers

Spu:

GD200HFT120C1S_G8

Inleiding
Overzicht
Equivalent Circuit Schematic

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,gemaakt door STARPOWER. 1200V 200A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
10 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
met een vermogen van niet meer dan 50 W
Ononderbroken stroomvoorziening

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V. CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V.
V. GES	Spanning van de poort-emitter	± 30	V.
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C = 85 O C	285 200	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	400	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T = 175 O C	882	W

Diode

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V. RRM	Herhalende piektalen omgekeerde spanning	1200	V.
I F	Diode continue voorwaartscur huur	200	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	400	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t jmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t - Jaap.	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuur Bereik	-40 tot +125	O C
V. iso	Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.	4000	V.

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V. CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =200A,V GE =15V, t j =25 O C		1.70	2.15	V.
		I C =200A,V GE =15V, t j =125 O C		1.95
		I C =200A,V GE =15V, t j =150 O C		2.00
V. GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =8.0 mA ,V. CE = V. GE , t j =25 O C	5.0	5.9	6.5	V.
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 O C			200	NA
r Gint	Interne poortweerstand aas			2.0		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V. CE =30V, f=1MHz, V. GE =0V		17.0		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V. CE =30V, f=1MHz, V. GE =0V		0.55		nF
Q G	Gate-lading	V. GE =-15…+15V		1.07		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V. CC = 600V,I C =200A, r G = 1.0Ω,V GE =±15V, t j =25 O C		296		n
t r	Opstijgtijd			77		n
t D (Afgeschakeld )	Afsluiting Vertragingstijd			391		n
t F	Ouderdom			172		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			4.25		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			16.2		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V. CC = 600V,I C =200A, r G = 1.0Ω,V GE =±15V, t j = 125O C		272		n
t r	Opstijgtijd			79		n
t D (Afgeschakeld )	Afsluiting Vertragingstijd			423		n
t F	Ouderdom			232		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			6.45		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			22.6		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V. CC = 600V,I C =200A, r G = 1.0Ω,V GE =±15V, t j = 150O C		254		n
t r	Opstijgtijd			80		n
t D (Afgeschakeld )	Afsluiting Vertragingstijd			430		n
t F	Ouderdom			280		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			8.30		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			24.3		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs,V GE =15V, t j =150 O C,V CC = 900V, V. CEM ≤ 1200V		800		A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V. F	Diode naar voren Spanning	I F =200A,V GE =0V,T j =25 O C		1.70	2.15	V.
		I F =200A,V GE =0V,T j = 125O C		1.65
		I F =200A,V GE =0V,T j = 150O C		1.65
Q r	Teruggevorderde heffing	V. r = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =-15V t j =25 O C		18.5		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			240		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			8.10		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V. r = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =-15V t j = 125O C		33.5		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			250		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			14.5		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V. r = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =-15V t j = 150O C		38.5		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			260		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			16.0		mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking			30	nH
r CC+EE	Module loodweerstand, terminal tot chip		0.75		mΩ
r thJC	De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)			0.170 0.280	K/W
r thCH	De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. Diode) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)		0.161 0.265 0.050		K/W
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m
G	Gewicht van Module		150		G