IGBT-module 1200V

Symbool

Beschrijving

GD200HFL120C8SN

Eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I C

Collectorstroom @ t C =25 ℃

@ T C = 100℃

400

200

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 MS

400

A

I F

Diode continue voorwaartscur huur

200

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

400

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j =1 75℃

1724

W

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

℃

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

℃

t STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40 tot +125

℃

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.

2500

V.

Montage Koppel

Vermogensterminalschroef:M5

Bevestigings schroef: M5

2,5 tot 3.5

2,5 tot 3.5

N.m

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. (BR )CES

Collector-Emitter

Breekspanning

t j =25 ℃

1200

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =8.0 mA ,V. CE = V. GE , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

V.

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.90

2.35

V.

I C =200A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.10

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =200A, r G = 3,3Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃

365

n

t r

Opstijgtijd

79

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

396

n

t F

Ouderdom

165

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

8.00

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

14.0

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =200A, r G = 3,3Ω,V GE =±15V, t j =125 ℃

372

n

t r

Opstijgtijd

83

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

420

n

t F

Ouderdom

293

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

11.0

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

22.3

mJ

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

14.9

nF

C oes

Uitgangscondensator

1.04

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.68

nF

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V. CC = 900V, V. CEM ≤ 1200V

1200

A

r Gint

Interne poortweerstand aas

1.0

Ω

L CE

Inductie van de afwijking

22

nH

r CC+EE

Module Lead

Weerstand,

Terminal naar chip

0.65

mΩ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

(chip)

Diode naar voren

Spanning

I F =200A

t j =25 ℃

1.80

2.25

V.

t j =125 ℃

1.85

Q r

Hersteld

Opladen

I F =200A,

V. r =600V,

r G = 3,3Ω,

V. GE =-15V

t j =25 ℃

17.2

μC

t j =125 ℃

35.3

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

t j =25 ℃

160

A

t j =125 ℃

213

E rec

Omgekeerd herstel Energie

t j =25 ℃

11.2

mJ

t j =125 ℃

21.2