GD200HFL120C8S, IGBT-module, STARPOWER

GD200HFL120C8S,IGBT Module,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

Stardragers

Spu:

GD200HFL120C8S

Kort inleiding

IGBT-module ,gemaakt door STARPOWER. 1200V 200A. Ik ben een

Kenmerken

Typische toepassingen

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 ℃ tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Beschrijving	GD200HFL120C8S	Eenheid
V. CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V.
V. GES	Spanning van de poort-emitter	± 20	V.
I C	Verzamelaarsstroom @ T C = 25℃ @ T C =80 ℃	400	A
I C	Verzamelaarsstroom @ T C = 25℃ @ T C =80 ℃	200	A
I CM (1)	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	400	A
I F	Diode met continue voorstroom	200	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	400	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T j = 175℃	1402	W
t jmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	℃
t - Jaap.	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	℃
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	℃
V. iso	Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1min	2500	V.
Montage Koppel	Vermogensterminalschroef:M5	2,5 tot 5.0	N.m
Montage Koppel	Montage Schroef:M6	3,0 tot 5.0	N.m

Notities:

(1) Herhalend beoordeling : Puls Breedte beperkt Door Maximaal . Junctie Temperatuur

Elektrisch Kenmerken van IGBT t C =25 ℃ tenzij anders Opgemerkt

Uitschakelkenmerken

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V. (BR )CES	Collector-Emitter Breekspanning	t j =25 ℃	1200			V.
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t j =25 ℃			5.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 ℃			400	NA

Inschakelkenmerken

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V. GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =8.0 mA ,V. CE = V. GE , t j =25 ℃	5.0	6.2	7.0	V.
V. CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃		1.90	2.35	V.
V. CE (sat)		I C =200A,V GE =15V, t j = 125℃		2.10		V.

Schakelkenmerken

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V. CC = 600V,I C =200A, r G =5.1Ω,V GE = ± 15 V, t j =25 ℃		437		n
t r	Opstijgtijd			75		n
t D (Afgeschakeld )	Afsluiting Vertragingstijd			436		n
t F	Ouderdom			165		n
E Aan	Aan- en uitwisselingsfunctie Verlies			10.0		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			15.0		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V. CC = 600V,I C =200A, r G =5.1Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125℃		445		n
t r	Opstijgtijd			96		n
t D (Afgeschakeld )	Afsluiting Vertragingstijd			488		n
t F	Ouderdom			258		n
E Aan	Aan- en uitwisselingsfunctie Verlies			15.9		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			22.3		mJ
C ies	Ingangs capaciteit	V. CE =25V, f=1MHz, V. GE =0V		14.9		nF
C oes	Uitgangscondensator			1.04		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen			0.68		nF
I SC	SC-gegevens	t s C ≤ 10μs,V GE =15V, t j =125 ℃ ,V CC = 900V, V. CEM ≤ 1200V		1200		A
r Gint	Interne poortweerstand tance			1.0		Ω
L CE	Inductie van de afwijking				26	nH
r CC + EE ’	Module-leidingweerstand ce, Terminal naar chip	t C =25 ℃		0.62		m Ω

Elektrisch Kenmerken van Diode t C =25 ℃ tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden		Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V. F	Diode naar voren Spanning	I F =200A	t j =25 ℃		1.82	2.25	V.
V. F	Diode naar voren Spanning	I F =200A	t j = 125℃		1.95		V.
Q r	Teruggevorderde heffing	I F =200A, V. r = 600 V, di/dt=-2370A/μs, V. GE - Ik ben niet... 15V	t j =25 ℃		16.6		μC
Q r	Teruggevorderde heffing		t j = 125℃		29.2		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom		t j =25 ℃		156		A
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom		t j = 125℃		210		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie		t j =25 ℃		9.3		mJ
E rec	Omgekeerd herstel Energie		t j = 125℃		16.0		mJ

Thermische kenmerken ics

Symbool	Parameter	- Een type.	Max.	Eenheid
r θ JC	De Commissie heeft de Commissie verzocht de volgende informatie te verstrekken: BT)		0.107	K/W
r θ JC	De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)		0.198	K/W
r θ CS	Behuizing-naar-koeler (geleidend vet a pplied)	0.046		K/W
Gewicht	Gewicht van Module	200		G