IGBT-module 1200V

Symbool

Beschrijving

GD200HFK60C8SN

Eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

600

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I C

Collectorstroom @ t C =25 ℃

@ T C =80 ℃

283

200

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 MS

400

A

I F

Diode continue voorwaartscur huur

200

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

400

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j =1 50℃

714

W

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

150

℃

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +125

℃

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

℃

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.

2500

V.

Montage Koppel

Vermogensterminalschroef:M5

Bevestigings schroef: M5

2,5 tot 3.5

2,5 tot 3.5

N.m

Gewicht

Gewicht van Module

200

G

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. (BR )CES

Collector-Emitter

Breekspanning

t j =25 ℃

600

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t j =25 ℃

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =500μA, V. CE = V. GE , t j =25 ℃

3.5

4.5

5.5

V.

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =200A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.80

2.25

V.

I C =200A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.10

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =300V,I C =200A, r G =6,8Ω,V GE =±15V, t j =25 ℃

320

n

t r

Opstijgtijd

123

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

318

n

t F

Ouderdom

90

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

2.79

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

5.08

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =300V,I C =200A, r G =6,8Ω,V GE =±15V, t j =125 ℃

339

n

t r

Opstijgtijd

125

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

344

n

t F

Ouderdom

113

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

3.00

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

6.95

mJ

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =30V, f=1MHz,

V. GE =0V

16.9

nF

C oes

Uitgangscondensator

0.88

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.42

nF

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V. CC =360V, V. CEM ≤600V

1800

A

Q G

Gate-lading

V. CC =400V,I C =200A, V. GE =15V

0.72

μC

r Gint

Interne poortweerstand aas

2.35

Ω

L CE

Inductie van de afwijking

22

nH

r CC+EE

Module Lead

Weerstand,

Terminal naar chip

0.65

mΩ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F =200A

t j =25 ℃

1.33

1.78

V.

t j =125 ℃

1.30

Q r

Hersteld

Opladen

I F =200A,

V. r = 300 V,

r G =6,8Ω,

V. GE =-15V

t j =25 ℃

9.3

μC

t j =125 ℃

13.2

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

t j =25 ℃

112

A

t j =125 ℃

125

E rec

Omgekeerd herstel Energie

t j =25 ℃

2.09

mJ

t j =125 ℃

3.22

Symbool

Parameter

- Een type.

Max.

Eenheid

r θ JC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

0.175

K/W

r θ JC

De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.317

K/W