IGBT-module 1200V

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I CN

Geïmplementeerde collector Cu rrent

1000

A

I C

Verzamelaarsstroom @ T F = 75 O C

765

A

I CRM

Herhalend De hoogtepunt Verzamelaar stroom tp beperkt Door t vjop

2000

A

P D

Maximale vermogensafvoer atie @ t F = 75 O C ,t j = 175 O C

1515

W

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V. RRM

Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd

1200

V.

I FN

Geïmplementeerde collector Cu rrent

1000

A

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

765

A

I FRM

Herhalend De hoogtepunt Vooruit stroom tp beperkt Door t vjop

2000

A

I FSM

Surge Vooruitstroom t P =10ms @ T Vj = 25O C @ T Vj =150 O C

4100

3000

A

I 2t

I 2t- waarde ,t P =10 MS @ t Vj =25 O C @ T Vj =150 O C

84000

45000

A 2s

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

O C

V. iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V.

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =1000A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.45

1.90

V.

I C =1000A,V GE =15V, t Vj =125 O C

1.65

I C =1000A,V GE =15V, t Vj = 175 O C

1.80

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 24,0 mA ,V. CE = V. GE , t Vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

0.5

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=100kHz, V. GE =0V

51.5

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.36

nF

Q G

Gate-lading

V. GE =-15…+15V

13.6

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =900A,

r G =0.51Ω, L s =40nH, V. GE =-8V/+15V,

t Vj =25 O C

330

n

t r

Opstijgtijd

140

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

842

n

t F

Ouderdom

84

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

144

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

87.8

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =900A,

r G =0.51Ω, L s =40nH, V. GE =-8V/+15V,

t Vj =125 O C

373

n

t r

Opstijgtijd

155

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

915

n

t F

Ouderdom

135

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

186

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

104

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =900A,

r G =0.51Ω, L s =40nH, V. GE =-8V/+15V,

t Vj = 175 O C

390

n

t r

Opstijgtijd

172

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

950

n

t F

Ouderdom

162

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

209

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

114

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤8μs,V GE =15V,

t Vj =150 O C,V CC = 800V,

V. CEM ≤ 1200V

3200

A

t P ≤6μs,V GE =15V,

t Vj = 175 O C,V CC = 800V,

V. CEM ≤ 1200V

3000

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren Spanning

I F =1000A,V GE =0V,T Vj =25 O C

1.60

2.05

V.

I F =1000A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.70

I F =1000A,V GE =0V,T Vj = 175 O C

1.60

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t Vj =25 O C

91.0

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

441

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

26.3

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,

t Vj =125 O C

141

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

493

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

42.5

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,

t Vj = 175 O C

174

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

536

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

52.4

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

r 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van r 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC + EE ’

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.80

mΩ

r de JF

Junctie -Om -Koeling Vloeistof (perIGBT )Junctie-naar-koelvloeistof (per D iodum) △ V/ △ t=10,0 dm 3/Min. ,t F = 75 O C

0.066 0.092

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Gewicht van Module

400

G

P

Maximale druk in koelcircuits

3

bar

∆p

Drukval Koeling Cir - De koek

∆V/∆t=10.0dm 3/min;T F =25 O C;Koel Vloeistof=50% Water/50% Ethyleenglycol

47

mbar