YT2000ASW45, Modul IGBT, Pakej Tekan, dengan FWD, 4500V 2000A

Modul IGBT 4500V

YT2000ASW45, Modul IGBT, Pakej Tekan, dengan FWD, 4500V 2000A

Modul IGBT,,4500V 2000A ,Pakej Tekan, dengan FWD

Brand:

Spu:

YT2000ASW45

pengantar
garis besar

pengantar

ciri-ciri

4500V- Saya tak tahu.Pintu Planar &- Saya tak tahu.Struktur Henti Medan
tinggi- Saya tak tahu.Ketahanan
tinggi- Saya tak tahu.kebolehpercayaan
Suhu Positif pekali
Pendek Tinggi- Saya tak tahu.Kebolehan

aplikasi

Sistem fleksibel HVDC
Angin luar pesisir- Saya tak tahu.penjanaan kuasa
berskala besar- Saya tak tahu.industri- Saya tak tahu.memandu

maksimum- Saya tak tahu.bertaraf- Saya tak tahu.nilai

parameter	Simbol	Syarat	nilai	Unit
- Saya tak tahu.Voltan kolektor-emiter	vCES	vGE=0V,tvj=25°c	4500	v
- Saya tak tahu.Pengumpul DC- Saya tak tahu.Curental	ic	tc=100°C,Tvj=125°c	2000	a
Arus puncak kolektor	icm	tp=1ms	4000	a
Pintu- Saya tak boleh.pengeluar- Saya tak tahu.voltan	vGES	- Saya tak tahu.	±20	v
Jumlah- Saya tak tahu.kuasa- Saya tak tahu.penghapusan	ptot	tc=25°C,Tvj=125°c	20800	w
dc- Saya tak tahu.Cu Ke Hadapanrental	if	- Saya tak tahu.	2000	a
Puncak- Saya tak tahu.Cur Ke Hadapan=0V,	iPendapatan	tp=1ms	4000	a
Arus lonjakan	iFSM	vr=0V,Tvj=125°C, tp=10ms, separuh gelombang sinus	14000	a
IGBT Pendek Sirkuit SOA	tpsc	vcc= 3400V,vCEM- Saya tak tahu.Chip≤4500V- Saya tak tahu.vGE≤15V,Tvj≤125°c	10	μs
Suhu Pertemuan Maksimumsuhu	tvj(maksimum)	- Saya tak tahu.	125	°C
Sambungan- Saya tak tahu.suhu operasi	tvj(op)	- Saya tak tahu.	-40~125	°C
Suhu kes	tc	- Saya tak tahu.	-40~125	°C
suhu penyimpanan	tSTG	- Saya tak tahu.	-40 ~ 70	°C
Kekuatan Pemasangan	fm	- Saya tak tahu.	60~75	kn

- Saya tak tahu.

Nilai ciri IGBT

parameter	Simbol	Syarat		nilai			Unit
parameter	Simbol	Syarat		Min.	- TIP.	- Max.	Unit
Tegangan Patah Pengumpul-Pemancar	V ((BR) CES	VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃		4500	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu.	v
Tegangan Penyerapan Pengumpul-Pemancar	VCE (sat)	IC=2000A, VGE=15V	Tvj=25℃	- Saya tak tahu.	2.70	3.05	v
Tegangan Penyerapan Pengumpul-Pemancar	VCE (sat)	IC=2000A, VGE=15V	Tvj=125℃	- Saya tak tahu.	3.35	3.85	v
Arus Pemotongan Pengumpul-Pemancar	ICES	VCE=4500V, VGE=0V	Tvj=25℃	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu.	1	Ibu
Arus Pemotongan Pengumpul-Pemancar	ICES	VCE=4500V, VGE=0V	Tvj=125℃	- Saya tak tahu.	15	100	Ibu
Arus Kebocoran Gate-Emitter	IGES	VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃		-500	- Saya tak tahu.	500	tidak
Tegangan Ambang Gate-Emitter	VGE(th)	IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃		6.7	- Saya tak tahu.	7.7	v
Bayaran pintu	Qg	IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V		- Saya tak tahu.	10	- Saya tak tahu.	μC
Kapasiti input	Ces	- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃		- Saya tak tahu.	213	- Saya tak tahu.	NF
Kapacitans Output	Coes			- Saya tak tahu.	15.3	- Saya tak tahu.	NF
Kapasiti pemindahan terbalik	Cres			- Saya tak tahu.	4.7	- Saya tak tahu.	NF
Rintangan Dalaman Gate	RGint	- Saya tak tahu.		- Saya tak tahu.	0	- Saya tak tahu.	Oh
Masa kelewatan penyambutan	td ((on)	- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. - Saya tak tahu. - Saya tak tahu. - Saya tak tahu. IC=2000A, VCE=2800V, VGE=±15V, RGon=1.8Ω, RGoff=8.2Ω, CGE=330nF, LS=140nH, Beban induktif	Tvj=25℃	- Saya tak tahu.	1100	- Saya tak tahu.	n
Masa kelewatan penyambutan	td ((on)		Tvj=125℃	- Saya tak tahu.	900	- Saya tak tahu.	n
Masa naik	tr		Tvj=25℃	- Saya tak tahu.	400	- Saya tak tahu.	n
Masa naik	tr		Tvj=125℃	- Saya tak tahu.	450	- Saya tak tahu.	n
Masa kelewatan penutupan	td ((off)		Tvj=25℃	- Saya tak tahu.	3800	- Saya tak tahu.	n
Masa kelewatan penutupan	td ((off)		Tvj=125℃	- Saya tak tahu.	4100	- Saya tak tahu.	n
Waktu kejatuhan	tf		Tvj=25℃	- Saya tak tahu.	1200	- Saya tak tahu.	n
Waktu kejatuhan	tf		Tvj=125℃	- Saya tak tahu.	1400	- Saya tak tahu.	n
Tenaga Pertukaran Hidup	EON		Tvj=25℃	- Saya tak tahu.	14240	- Saya tak tahu.	mJ
Tenaga Pertukaran Hidup	EON		Tvj=125℃	- Saya tak tahu.	15730	- Saya tak tahu.	mJ
Tenaga Pertukaran Mati	EOFF		Tvj=25℃	- Saya tak tahu.	6960	- Saya tak tahu.	mJ
Tenaga Pertukaran Mati	EOFF		Tvj=125℃	- Saya tak tahu.	8180	- Saya tak tahu.	mJ
arus litar pendek	- Saya tak tahu. Isk	VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃ VCEM CHIP≤4500V		- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu. 8400	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu. a

- Saya tak tahu.- Saya tak tahu.

Nilai Ciri Diod

parameter	Simbol	Syarat		nilai			Unit
parameter	Simbol	Syarat		Min.	- TIP.	- Max.	Unit
Voltan Maju	VF	IF=2000A	Tvj=25℃	- Saya tak tahu.	2.60	- Saya tak tahu.	v
Voltan Maju	VF	IF=2000A	Tvj=125℃	- Saya tak tahu.	2.85	- Saya tak tahu.	v
Arus Pemulihan Balik	Irr	- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. - Saya tak tahu. IF=2000A, VR=2800V, VGE=15V, RGon=1.8Ω, LS=140nH, Beban induktif	Tvj=25℃	- Saya tak tahu.	1620	- Saya tak tahu.	a
Arus Pemulihan Balik	Irr		Tvj=125℃	- Saya tak tahu.	1970	- Saya tak tahu.	a
Cas Charge Pemulihan Balik	Qrr		Tvj=25℃	- Saya tak tahu.	1750	- Saya tak tahu.	uC
Cas Charge Pemulihan Balik	Qrr		Tvj=125℃	- Saya tak tahu.	2700	- Saya tak tahu.	uC
Masa Pemulihan Balik	trr		Tvj=25℃	- Saya tak tahu.	4.0	- Saya tak tahu.	kita
Masa Pemulihan Balik	trr		Tvj=125℃	- Saya tak tahu.	5.1	- Saya tak tahu.	kita
Kerugian Tenaga Pemulihan Balik	Erec		Tvj=25℃	- Saya tak tahu.	2350	- Saya tak tahu.	mJ
Kerugian Tenaga Pemulihan Balik	Erec		Tvj=125℃	- Saya tak tahu.	3860	- Saya tak tahu.	mJ