Modul IGBT 1700V

(Simbol)

(Parameter)

(Syarat ujian)

(nilai)

(Unit)

VCES

Voltan kolektor-emiter

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

v

V GES

Voltan penyiaran pintu

- Saya tak tahu.

± 20

v

I C

Arus kolektor-penerbit

Kes T = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

a

I C (((PK)

Arus puncak kolektor

tP = 1ms

4800

a

P max

- Max.- Saya tak tahu.pembaziran kuasa transistor

Tvj = 150°C, kes T = 25 °C

19.2

kw

I 2t

Diode I2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

kA2s

- Saya tak tahu.

Visol

Voltan penebat setiap modul

( Terminal yang disatukan ke plat asas),

AC RMS,1 minit, 50Hz

- Saya tak tahu.

4000

- Saya tak tahu.

v

Q PD

Pelepasan separa setiap modul

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

pc

Tcase = 25 °C T case = 25°C kecuali dinyatakan sebaliknya

(Simbol)

(Parameter)

(Syarat ujian)

(min)

(Jenis)

(Max)

(Unit)

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

I CES

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

Arus pemotongan kolektor

V GE = 0V, VCE = VCES

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

1

Ibu

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

40

Ibu

V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

60

Ibu

I GES

Pasaran kebocoran pintu

V GE = ±20V, VCE = 0V

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

1

μA

V GE (TH)

Voltan ambang pintu

I C = 80mA, V GE = VCE

5.0

6.0

7.0

v

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

VCE (berada)

- Saya tak tahu.

Penyerapan kolektor-emitter

voltan

VGE =15V, IC = 2400A

- Saya tak tahu.

1.75

- Saya tak tahu.

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

- Saya tak tahu.

1.95

- Saya tak tahu.

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

- Saya tak tahu.

2.05

- Saya tak tahu.

v

I F

Diod arus ke hadapan

dc

- Saya tak tahu.

2400

- Saya tak tahu.

a

I FRM

Arus Maju Maksimum Dioda

t P = 1ms

- Saya tak tahu.

4800

- Saya tak tahu.

a

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

VF(*1)

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

Voltan dioda ke hadapan

IF = 2400A

- Saya tak tahu.

1.65

- Saya tak tahu.

v

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

- Saya tak tahu.

1.75

- Saya tak tahu.

v

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

- Saya tak tahu.

1.75

- Saya tak tahu.

v

Ces

Kapasiti input

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

- Saya tak tahu.

400

- Saya tak tahu.

NF

Qg

Cas pintu

±15V

- Saya tak tahu.

19

- Saya tak tahu.

μC

Cres

Kapasiti pemindahan terbalik

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

- Saya tak tahu.

3

- Saya tak tahu.

NF

L M

Induktansi modul

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

10

- Saya tak tahu.

- Tidak

R INT

Rintangan transistor dalaman

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

110

- Saya tak tahu.

μΩ

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

I SC

- Saya tak tahu.

Arus litar pintas, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

12000

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

a

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

- Saya tak tahu.

2320

- Saya tak tahu.

n

t f

Waktu kejatuhan

- Saya tak tahu.

500

- Saya tak tahu.

n

E OFF

Kehilangan tenaga penutupan

- Saya tak tahu.

1050

- Saya tak tahu.

mJ

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

- Saya tak tahu.

450

- Saya tak tahu.

n

tr

Masa naik

- Saya tak tahu.

210

- Saya tak tahu.

n

EON

Kehilangan tenaga semasa menyala

- Saya tak tahu.

410

- Saya tak tahu.

mJ

Qrr

Muatan pemulihan diod terbalik

- Saya tak tahu.

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

- Saya tak tahu.

480

- Saya tak tahu.

μC

I r

Diod arus pemulihan terbalik

- Saya tak tahu.

1000

- Saya tak tahu.

a

Erec

Diod pemulihan tenaga terbalik

- Saya tak tahu.

320

- Saya tak tahu.

mJ

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

- Saya tak tahu.

2340

- Saya tak tahu.

n

t f

Waktu kejatuhan

- Saya tak tahu.

510

- Saya tak tahu.

n

E OFF

Kehilangan tenaga penutupan

- Saya tak tahu.

1320

- Saya tak tahu.

mJ

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

- Saya tak tahu.

450

- Saya tak tahu.

n

tr

Masa naik

- Saya tak tahu.

220

- Saya tak tahu.

n

EON

Kehilangan tenaga semasa menyala

- Saya tak tahu.

660

- Saya tak tahu.

mJ

Qrr

Muatan pemulihan diod terbalik

- Saya tak tahu.

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

- Saya tak tahu.

750

- Saya tak tahu.

μC

I r

Diod arus pemulihan terbalik

- Saya tak tahu.

1200

- Saya tak tahu.

a

Erec

Diod pemulihan tenaga terbalik

- Saya tak tahu.

550

- Saya tak tahu.

mJ

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

- Saya tak tahu.

2340

- Saya tak tahu.

n

t f

Waktu kejatuhan

- Saya tak tahu.

510

- Saya tak tahu.

n

E OFF

Kehilangan tenaga penutupan

- Saya tak tahu.

1400

- Saya tak tahu.

mJ

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

- Saya tak tahu.

450

- Saya tak tahu.

n

tr

Masa naik

- Saya tak tahu.

220

- Saya tak tahu.

n

EON

Kehilangan tenaga semasa menyala

- Saya tak tahu.

820

- Saya tak tahu.

mJ

Qrr

Muatan pemulihan diod terbalik

- Saya tak tahu.

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

- Saya tak tahu.

820

- Saya tak tahu.

μC

I r

Diod arus pemulihan terbalik

- Saya tak tahu.

1250

- Saya tak tahu.

a

Erec

Diod pemulihan tenaga terbalik

- Saya tak tahu.

620

- Saya tak tahu.

mJ