YMIBD500-33,TIM500GDM33-PSA011,IGBT Modul,3300V 500A

Modul IGBT 3300V

YMIBD500-33, TIM500GDM33-PSA011, Modul IGBT, 3300V 500A

Modul IGBT,3300V 500A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIBD500-33/TIM500GDM33-PSA011

pengantar
garis besar

pengantar

Parameter utama

VCES	3300- Saya tak tahu.v
VCE (sat)	(Jenis)- Saya tak tahu.2.40- Saya tak tahu.v
i	(Max)- Saya tak tahu.500- Saya tak tahu.a
IC ((RM)	(Max)- Saya tak tahu.1000- Saya tak tahu.a

- Saya tak tahu.

aplikasi khas

Penggerak tarikan
Pengendali Motor
bijak- Saya tak tahu.grid
tinggi- Saya tak tahu.kebolehpercayaan- Saya tak tahu.Inverter

ciri-ciri

Asas AlSiC
Substrat AIN
Keupayaan Kitaran Hangat Tinggi
10μs Penguatkuasaan litar pendek
Peranti VCE rendah (sat)
Ketumpatan arus tinggi

- Saya tak tahu.

Absolut- Saya tak tahu.maksimum- Saya tak tahu.Rapenggambaran

(Simbol)	(Parameter)	(Syarat ujian)	(nilai)	(Unit)
VCES	Voltan kolektor-emiter	V GE = 0V,Tvj = 25°C	3300	v
V GES	Voltan penyiaran pintu	- Saya tak tahu.	± 20	v
I C	Arus kolektor-penerbit	Kes T = 100 °C, Tvj = 150 °C	500	a
I C (((PK)	Arus puncak kolektor	1ms, kes T = 140 °C	1000	a
P max	Maks. pengaliran kuasa transistor	Tvj = 150°C, kes T = 25 °C	5.2	kw
I 2t	Dioda	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C	80	kA2s
Visol	Voltan penebat setiap modul	terminal biasa ke plat asas), AC RMS,1 minit, 50Hz	6000	v
Q PD	Pelepasan separa setiap modul	IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C	10	pc

- Saya tak tahu.

Elecciri-ciri

tkes- Saya tak tahu.= 25 °cPerkhidmatant- Saya tak tahu.kesPerkhidmatan= 25°c- Saya tak tahu.kecuali- Saya tak tahu.dinyatakan- Saya tak tahu.sebaliknya
(Simbol)	(Parameter)	(Syarat ujian)	(minit)	(jenis)	(maksimum)	(Unit)
- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. i- Saya tak tahu.CES	Arus pemotongan kolektor	v- Saya tak tahu.GE- Saya tak tahu.= 0V,- Saya tak tahu.vcPerkhidmatan=- Saya tak tahu.vCES	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu.	1	Ibu
		v- Saya tak tahu.GE- Saya tak tahu.= 0V,- Saya tak tahu.vcPerkhidmatan=- Saya tak tahu.vCES- Saya tak tahu....- Saya tak tahu.t- Saya tak tahu.kes- Saya tak tahu.= 125 °C	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu.	30	Ibu
		v- Saya tak tahu.GE- Saya tak tahu.= 0V,- Saya tak tahu.vcPerkhidmatan=vCES- Saya tak tahu....- Saya tak tahu.t- Saya tak tahu.kes- Saya tak tahu.=150 °C	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu.	50	Ibu
i- Saya tak tahu.GES	Kebocoran pintu- Saya tak tahu.semasa	v- Saya tak tahu.GE- Saya tak tahu.= ±20V,- Saya tak tahu.vcPerkhidmatan= 0V	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu.	1	μA
v- Saya tak tahu.GE- Saya tak tahu.(TH)	Voltan ambang pintu	i- Saya tak tahu.c- Saya tak tahu.= 40Ibu...- Saya tak tahu.v- Saya tak tahu.GE- Saya tak tahu.=vc	5.50	6.10	7.00	v
- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. vc- Saya tak tahu.(duduk)*)	Penuh kolektor-emiter- Saya tak tahu.voltan	v- Saya tak tahu.GE- Saya tak tahu.=15V,i- Saya tak tahu.C =- Saya tak tahu.500a	- Saya tak tahu.	2.40	2.90	v
		v- Saya tak tahu.GE- Saya tak tahu.=15V,i- Saya tak tahu.cPerkhidmatan= 500A,tvj- Saya tak tahu.=- Saya tak tahu.125- Saya tak tahu.°c	- Saya tak tahu.	2.95	3.40	v
		v- Saya tak tahu.GE- Saya tak tahu.=15V,i- Saya tak tahu.cPerkhidmatan= 500A,tvj- Saya tak tahu.=- Saya tak tahu.150- Saya tak tahu.°c	- Saya tak tahu.	3.10	3.60	v
i- Saya tak tahu.f	Diod arus ke hadapan	dc	- Saya tak tahu.	500	- Saya tak tahu.	a
i- Saya tak tahu.Pendapatan	Dioda maksimum ke hadapan- Saya tak tahu.semasa	t- Saya tak tahu.p- Saya tak tahu.=- Saya tak tahu.1ms	- Saya tak tahu.	1000	- Saya tak tahu.	a
- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. vf*)	- Saya tak tahu. Voltan dioda ke hadapan	i- Saya tak tahu.f- Saya tak tahu.=- Saya tak tahu.500a	- Saya tak tahu.	2.10	2.60	v
		i- Saya tak tahu.f- Saya tak tahu.= 500A,- Saya tak tahu.tvjPerkhidmatan=- Saya tak tahu.125 °c	- Saya tak tahu.	2.25	2.70	v
		i- Saya tak tahu.f- Saya tak tahu.= 500A,- Saya tak tahu.tvjPerkhidmatan=- Saya tak tahu.150 °C	- Saya tak tahu.	2.25	2.70	v
ce	Kapasiti input	vc- Saya tak tahu.= 25V,- Saya tak tahu.v- Saya tak tahu.GEPerkhidmatan= 0V,f- Saya tak tahu.=- Saya tak tahu.1mhz	- Saya tak tahu.	90	- Saya tak tahu.	NF
qg	Bayaran pintu	±15V	- Saya tak tahu.	9	- Saya tak tahu.	μC
cres	Kapasiti pemindahan terbalikrujukan	vc- Saya tak tahu.= 25V,- Saya tak tahu.v- Saya tak tahu.GEPerkhidmatan= 0V,f- Saya tak tahu.=- Saya tak tahu.1mhz	- Saya tak tahu.	2	- Saya tak tahu.	NF
Saya- Saya tak tahu.m	Modul- Saya tak tahu.induktansi	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu.	25	- Saya tak tahu.	- Tidak
r- Saya tak tahu.int	Rintangan transistor dalaman	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu.	310	- Saya tak tahu.	μΩ
- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. i- Saya tak tahu.sc	litar pendek- Saya tak tahu.semasa,- Saya tak tahu.isc	tvj- Saya tak tahu.=- Saya tak tahu.150°C,- Saya tak tahu.v- Saya tak tahu.cc- Saya tak tahu.= 2500V,- Saya tak tahu.v- Saya tak tahu.GE- Saya tak tahu.≤15V,tp- Saya tak tahu.≤10μs, vc(maksimum)- Saya tak tahu.=- Saya tak tahu.vCES- Saya tak tahu.–Saya- Saya tak tahu.*)- Saya tak tahu.×di/dt...IEC- Saya tak tahu.6074-9	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. 1800	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. a

- Saya tak tahu.

td ((off)	Masa kelewatan penutupan	- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF L ~ 150nH V GE = ±15V RG ((ON) = 3.0Ω RG ((OFF) = 4.5Ω	- Saya tak tahu.	1720	- Saya tak tahu.	n
t f	Waktu kejatuhan		- Saya tak tahu.	520	- Saya tak tahu.	n
E OFF	Kehilangan tenaga penutupan		- Saya tak tahu.	780	- Saya tak tahu.	mJ
td ((on)	Masa kelewatan penyambutan		- Saya tak tahu.	650	- Saya tak tahu.	n
tr	Masa naik		- Saya tak tahu.	260	- Saya tak tahu.	n
EON	Kehilangan tenaga semasa menyala		- Saya tak tahu.	730	- Saya tak tahu.	mJ
Qrr	Muatan pemulihan diod terbalik	- Saya tak tahu. I F = 500A VCE = 1800V diF/dt =2100A/us	- Saya tak tahu.	390	- Saya tak tahu.	μC
I r	Diod arus pemulihan terbalik		- Saya tak tahu.	420	- Saya tak tahu.	a
Erec	Diod pemulihan tenaga terbalik		- Saya tak tahu.	480	- Saya tak tahu.	mJ

- Saya tak tahu.

(Simbol)	(Parameter)	(Syarat ujian)	(Min)	(Jenis)	(Max)	(Unit)
td ((off)	Masa kelewatan penutupan	- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF L ~ 150nH V GE = ± 15V RG ((ON) = 3.0Ω RG ((OFF) = 4.5Ω	- Saya tak tahu.	1860	- Saya tak tahu.	n
t f	Waktu kejatuhan		- Saya tak tahu.	550	- Saya tak tahu.	n
E OFF	Kehilangan tenaga penutupan		- Saya tak tahu.	900	- Saya tak tahu.	mJ
td ((on)	Masa kelewatan penyambutan		- Saya tak tahu.	630	- Saya tak tahu.	n
tr	上升时间Masa naik		- Saya tak tahu.	280	- Saya tak tahu.	n
EON	Kehilangan tenaga semasa menyala		- Saya tak tahu.	880	- Saya tak tahu.	mJ
Qrr	Muatan pemulihan diod terbalik	- Saya tak tahu. I F = 500A VCE = 1800V diF/dt =2100A/us	- Saya tak tahu.	620	- Saya tak tahu.	μC
I r	Diod arus pemulihan terbalik		- Saya tak tahu.	460	- Saya tak tahu.	a
Erec	Diod pemulihan tenaga terbalik		- Saya tak tahu.	760	- Saya tak tahu.	mJ

- Saya tak tahu.

(Simbol)	(Parameter)	(Syarat ujian)	(Min)	(Jenis)	(Max)	(Unit)
td ((off)	Masa kelewatan penutupan	- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF L ~ 150nH V GE = ± 15V RG ((ON) = 3.0Ω RG ((OFF) = 4.5Ω	- Saya tak tahu.	1920	- Saya tak tahu.	n
t f	Waktu kejatuhan		- Saya tak tahu.	560	- Saya tak tahu.	n
E OFF	Kehilangan tenaga penutupan		- Saya tak tahu.	1020	- Saya tak tahu.	mJ
td ((on)	Masa kelewatan penyambutan		- Saya tak tahu.	620	- Saya tak tahu.	n
tr	Masa naik		- Saya tak tahu.	280	- Saya tak tahu.	n
EON	Kehilangan tenaga semasa menyala		- Saya tak tahu.	930	- Saya tak tahu.	mJ
Qrr	Muatan pemulihan diod terbalik	- Saya tak tahu. I F = 500A VCE = 1800V diF/dt =2100A/us	- Saya tak tahu.	720	- Saya tak tahu.	μC
I r	Diod arus pemulihan terbalik		- Saya tak tahu.	490	- Saya tak tahu.	a
Erec	Diod pemulihan tenaga terbalik		- Saya tak tahu.	900	- Saya tak tahu.	mJ