GD800HFL120C3S, Modul IGBT, 1200V 800A, STARPOWER

Modul IGBT 1200V

GD800HFL120C3S, Modul IGBT, 1200V 800A, STARPOWER

Modul IGBT,1200V 800A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD800HFL120C3S

pengantar
garis besar

pengantar

ciri-ciri

Keupayaan litar pintas tinggi, membataskan diri kepada 6*IC
Keupayaan litar pintas 10μs
VCE(sat) dengan pekali suhu positif
Rendah induktanskes
Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

biasa- Saya tak tahu.aplikasi

Inverter AC- Saya tak tahu.Pemandu
Menghidupkan mod kuasa- Saya tak tahu.bekalan
Pengimpal elektronik

Penarafan Maksimum mutlaktc=25°C- Saya tak tahu.kecuali sebaliknyated

- Saya tak tahu.

Simbol	Penerangan	GD800HFL120C3S	Unit
vCES	Voltan kolektor-emiter	1200	v
vGES	Voltan penyiaran pintu	±20	v
ic	@ Tc=25°C @ Tc=80°C	1250	a
ic	@ Tc=25°C @ Tc=80°C	800	a
iCM(1)	Arus Kolektor Berpulsa tp=- Saya tak tahu.1ms	1600	a
if	Arus Terus Diode	800	a
ifm	Arus Maju Maksimum Dioda	1600	a
pd	Pengurangan kuasa maksimum @tj=150°C	4310	w
tsc	Pengelipatan Pendek Tahan Masa @ Tj=125°C	10	μs
tj	Suhu Sambungan Operasi	-40 hingga- Saya tak tahu.+150	°C
tSTG	Julat suhu penyimpanan	-40 hingga- Saya tak tahu.+125	°C
i2nilai-t, Diode	vr=0V, t=10ms, Tj=125°C	140	ka2s
viso	Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1min	2500	v
pemasangan tork	Terminal kuasa- Saya tak tahu.Skrin:M4 Terminal kuasa- Saya tak tahu.Skrin:M8	1.7 hingga- Saya tak tahu.2.3 8.0 hingga- Saya tak tahu.10	n.m
pemasangan tork	pemasangan- Saya tak tahu.Skru:M6	4.25 hingga- Saya tak tahu.5.75	n.m

- Saya tak tahu.

Ciri elektrik- Saya tak tahu.Igbttc=25°C- Saya tak tahu.kecuali dinyatakan sebaliknya

Ciri-ciri Off

- Saya tak tahu.

Simbol	parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	- Max.	Unit
BV- Saya tak tahu.CES	Kolektor-Pemancar voltan pemutusan	tj=25°C	1200	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu.	v
iCES	Kolektor- Saya tak tahu.dipotong- Saya tak boleh.dimatikan- Saya tak tahu.semasa	vc=VCES,VGE=0V,- Saya tak tahu.tj=25°C	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu.	5.0	Ibu
iGES	Kebocoran Gate-Emitter semasa	vGE=VGES,Vc=0V,- Saya tak tahu.tj=25°C	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu.	400	tidak

Ciri-ciri On

- Saya tak tahu.

Simbol	parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	- Max.	Unit
vGE (th)	Ambang Gate-Emitter voltan	ic=32mA,Vc=VGE...- Saya tak tahu.tj=25°C	5.0	6.2	7.0	v
- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. vCE(sat)	- Saya tak tahu. Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	ic= 800A,VGE=15V,- Saya tak tahu.tj=25°C	- Saya tak tahu.	1.8	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. v
- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. vCE(sat)	- Saya tak tahu. Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	ic= 800A,VGE=15V,- Saya tak tahu.tj=125°C	- Saya tak tahu.	2.0	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. v

Mengubah WatakIstik

- Saya tak tahu.

Simbol	parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	- Max.	Unit
qGE	Bayaran pintu	ic= 800A,Vc=600V, vGE=-15…+15V	- Saya tak tahu.	11.5	- Saya tak tahu.	μC
tD (dalam)	Masa kelewatan penyambutan	vcc=600V,Ic= 800A, rGon=3.3Ω, rGoff=0.39Ω, vGE- Saya tak tahu.= ±15V,Tj=25°C	- Saya tak tahu.	600	- Saya tak tahu.	n
tr	Masa naik		- Saya tak tahu.	230	- Saya tak tahu.	n
td(dimatikan)	Matikan- Saya tak tahu.Masa Lembapan		- Saya tak tahu.	820	- Saya tak tahu.	n
tf	Waktu kejatuhan		- Saya tak tahu.	150	- Saya tak tahu.	n
tD (dalam)	Masa kelewatan penyambutan	- Saya tak tahu. vcc=600V,Ic= 800A, rGon=3.3Ω, rGoff=0.39Ω, vGE- Saya tak tahu.= ±15V,Tj=125°C	- Saya tak tahu.	660	- Saya tak tahu.	n
tr	Masa naik		- Saya tak tahu.	220	- Saya tak tahu.	n
td(dimatikan)	Matikan- Saya tak tahu.Masa Lembapan		- Saya tak tahu.	960	- Saya tak tahu.	n
tf	Waktu kejatuhan		- Saya tak tahu.	180	- Saya tak tahu.	n
epada	Hidupkan- Saya tak tahu.Kerugian Penukaran		- Saya tak tahu.	160	- Saya tak tahu.	mJ
edimatikan	Hilangnya Kehilangan Pertukaran		- Saya tak tahu.	125	- Saya tak tahu.	mJ
ce	Kapasiti input	- Saya tak tahu. vc=25V,f=1MHz, vGE=0V	- Saya tak tahu.	61.8	- Saya tak tahu.	NF
coes	Kapacitans Output		- Saya tak tahu.	4.2	- Saya tak tahu.	NF
cres	Pemindahan Balik Kapasitans		- Saya tak tahu.	2.7	- Saya tak tahu.	NF
- Saya tak tahu. isc	- Saya tak tahu. Data SC	tsc≤10μs,VGE=15V,Perkhidmatantj=125°C... vcc=900V,- Saya tak tahu.vCEM- Saya tak tahu.≤1200V	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu. 3760	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu. a
Sayac	Induktans Terbuang	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu.	20	- Saya tak tahu.	- Tidak
rcc’+EE'	Resistans Pangkalan Modulce,- Saya tak tahu.terminal ke cip	tc=25°C	- Saya tak tahu.	0.18	- Saya tak tahu.	mOh

- Saya tak tahu.

elektrik- Saya tak tahu.ciri-ciri- Saya tak tahu.daripada- Saya tak tahu.Dioda- Saya tak tahu.tc=25°C- Saya tak tahu.kecuali- Saya tak tahu.sebaliknya- Saya tak tahu.Dicatatkan

- Saya tak tahu.

Simbol	parameter	Keadaan Ujian		Min.	- TIP.	- Max.	Unit
vf	Dioda Maju voltan	if=800A	tj=25°C	- Saya tak tahu.	2.4	- Saya tak tahu.	v
vf	Dioda Maju voltan	if=800A	tj=125°C	- Saya tak tahu.	2.2	- Saya tak tahu.	v
qr	Dioda Balik Bayaran pemulihan	- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. if= 800A, vr=600V, di/dt=-3600A/μs,- Saya tak tahu.vGE=-15V	tj=25°C	- Saya tak tahu.	37	- Saya tak tahu.	μC
qr	Dioda Balik Bayaran pemulihan		tj=125°C	- Saya tak tahu.	90	- Saya tak tahu.	μC
- Saya tak tahu. iRM	Dioda Puncak Pemulihan Terbalik- Saya tak tahu.semasa		tj=25°C	- Saya tak tahu.	260	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu. a
- Saya tak tahu. iRM	Dioda Puncak Pemulihan Terbalik- Saya tak tahu.semasa		tj=125°C	- Saya tak tahu.	400	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu. a
eREC	Pemulihan Terbalik- Saya tak tahu.tenaga		tj=25°C	- Saya tak tahu.	9	- Saya tak tahu.	mJ
eREC	Pemulihan Terbalik- Saya tak tahu.tenaga		tj=125°C	- Saya tak tahu.	24	- Saya tak tahu.	mJ

- Saya tak tahu.

Ciri-ciri Terma

- Saya tak tahu.

Simbol	parameter	- TIP.	- Max.	Unit
rθJC	Junction-to-Case (Bahagian IGBT, setiap- Saya tak tahu.1/2 Modul)	- Saya tak tahu.	0.029	K/W
rθJC	Junction-to-Case (Bahagian Diode, setiap- Saya tak tahu.1/2 Modul)	- Saya tak tahu.	0.052	K/W
rθCS	Kes-ke-Sink (Menggunakan lemak konduktif, per Modul)	0.006	- Saya tak tahu.	K/W
berat badan	Berat- Saya tak tahu.Modul	1500	- Saya tak tahu.	g