Modul IGBT 1700V

Simbol

Penerangan

GD3600SGT170C4S

Unit

VCES

Voltan kolektor-emiter

1700

v

VGES

Voltan penyiaran pintu

± 20

v

i

Arus Pengumpul@ TC=25℃

Arus Pengumpul@ TC=80℃

5200

a

3600

ICM(1)

Arus Pengumpul Berpulsa    tp= 1ms

7200

a

jika

Arus Terus Diode

3600

a

jika

Arus Maju Maksimum Dioda

7200

a

PD

Dissipasi kuasa maksimum    @ Tj= 175℃

19.7

kw

Tj

Suhu Sambungan Maksimum

175

°C

TSTG

Julat suhu penyimpanan

-40 hingga +125

°C

VISO

Voltan Pengasingan    RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

pemasangan

Skru Terminal Isyarat:M4

Skru Terminal Kuasa:M8

1.8 hingga 2.1

8.0 hingga 10

- Saya tak tahu.

n.m

tork

Skru Pemasangan:M6

4.25 hingga 5.75

- Saya tak tahu.

Simbol

parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

- Max.

Unit

V ((BR) CES

Kolektor-Pemancar

voltan pemutusan

Tj=25℃

1700

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

v

ICES

Arus pemotongan kolektor

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

5.0

Ibu

IGES

Kebocoran Gate-Emitter

semasa

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

400

tidak

Simbol

parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

- Max.

Unit

VGE(th)

Ambang Gate-Emitter

voltan

IC= 145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

v

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

VCE (sat)

- Saya tak tahu.

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

- Saya tak tahu.

2.00

2.45

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

v

IC=3600A,VGE=15V, Tj= 125℃

- Saya tak tahu.

2.40

2.85

Simbol

parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

- Max.

Unit

Qg

Bayaran pintu

VGE=- 15…+15V

- Saya tak tahu.

42.0

- Saya tak tahu.

μC

RGint

Resistor Gate Dalaman

Tj=25℃

- Saya tak tahu.

0.5

- Saya tak tahu.

Oh

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

- Saya tak tahu.

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

- Saya tak tahu.

730

- Saya tak tahu.

n

tr

Masa naik

- Saya tak tahu.

205

- Saya tak tahu.

n

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

- Saya tak tahu.

1510

- Saya tak tahu.

n

tf

Waktu kejatuhan

- Saya tak tahu.

185

- Saya tak tahu.

n

EON

Kerugian Suis Hidup

- Saya tak tahu.

498

- Saya tak tahu.

mJ

EOFF

Hilangnya Kehilangan Pertukaran

- Saya tak tahu.

1055

- Saya tak tahu.

mJ

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

- Saya tak tahu.

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj= 125℃

- Saya tak tahu.

785

- Saya tak tahu.

n

tr

Masa naik

- Saya tak tahu.

225

- Saya tak tahu.

n

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

- Saya tak tahu.

1800

- Saya tak tahu.

n

tf

Waktu kejatuhan

- Saya tak tahu.

325

- Saya tak tahu.

n

EON

Kerugian Suis Hidup

- Saya tak tahu.

746

- Saya tak tahu.

mJ

EOFF

Hilangnya Kehilangan Pertukaran

- Saya tak tahu.

1451

- Saya tak tahu.

mJ

Ces

Kapasiti input

- Saya tak tahu.

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

- Saya tak tahu.

317

- Saya tak tahu.

NF

Coes

Kapacitans Output

- Saya tak tahu.

13.2

- Saya tak tahu.

NF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

- Saya tak tahu.

10.5

- Saya tak tahu.

NF

- Saya tak tahu.

Isk

- Saya tak tahu.

Data SC

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC= 1000V, VCEM≤1700V

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

14000

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

a

LCE

Induktans Terbuang

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

10

- Saya tak tahu.

- Tidak

RCC’+EE ’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

0.12

- Saya tak tahu.

mΩ

Simbol

parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

- Max.

Unit

VF

Dioda Maju

voltan

IF=3600A

Tj=25℃

- Saya tak tahu.

1.80

2.20

v

Tj= 125℃

- Saya tak tahu.

1.90

2.30

Qr

Caj Dipulihkan

- Saya tak tahu.

IF=3600A,

VR=900V,

RGon=0.4Ω,

VGE=- 15V

Tj=25℃

- Saya tak tahu.

836

- Saya tak tahu.

μC

Tj= 125℃

- Saya tak tahu.

1451

- Saya tak tahu.

IRM

Arus Pemulihan Balik

Tj=25℃

- Saya tak tahu.

2800

- Saya tak tahu.

a

Tj= 125℃

- Saya tak tahu.

3300

- Saya tak tahu.

Erec

Tenaga Pemulihan Balik

Tj=25℃

- Saya tak tahu.

590

- Saya tak tahu.

mJ

Tj= 125℃

- Saya tak tahu.

1051

- Saya tak tahu.