GD1200HFT120C3S, Modul IGBT, 1200V 1200A, STARPOWER

Modul IGBT 1200V

GD1200HFT120C3S, Modul IGBT, 1200V 1200A, STARPOWER

Modul IGBT，1200V 1200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD1200HFT120C3S

pengantar
garis besar

pengantar

ciri-ciri

VCE(sat) rendahparitIgbtteknologi
Keupayaan litar pintas 10μs
VCE(sat) dengan pekali suhu positif
Kes induktans rendah
Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
Tembaga terasing- Saya tak tahu.Papan asas- Saya tak tahu.menggunakan- Saya tak tahu.dBc- Saya tak tahu.teknologi

aplikasi khas

Penggerak inverter AC
Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan
Turbina Angin

Absolut- Saya tak tahu.maksimum- Saya tak tahu.Penarafan- Saya tak tahu.tc=25°C- Saya tak tahu.kecuali- Saya tak tahu.sebaliknya- Saya tak tahu.Dicatatkan

- Saya tak tahu.

Simbol	Penerangan	GD1200HFT120C3S	Unit
vCES	Voltan kolektor-emiter	1200	v
vGES	Voltan penyiaran pintu	±20	v
ic	@ Tc=25°C @ Tc=80°C	1800	a
ic	@ Tc=25°C @ Tc=80°C	1200	a
icm(1)	Arus Kolektor Berpulsa tp=- Saya tak tahu.1ms	2400	a
if	Arus Terus Diode	1200	a
ifm	Arus Muka Maksimum Diode=0V,	2400	a
pd	Kuasa maksimum Penghapusan @ Tj=- Saya tak tahu.150°C	5.2	kw
tj	Suhu Sambungan Maksimum	150	°C
tSTG	Julat suhu penyimpanan	-40 hingga +125	°C
viso	Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t=1min	2500	v
pemasangan	Terminal Isyarat- Saya tak tahu.Skrin:M4 Terminal kuasa- Saya tak tahu.Skrin:M8	1.8 hingga- Saya tak tahu.2.1 8.0 hingga- Saya tak tahu.10	- Saya tak tahu. n.m
tork	pemasangan- Saya tak tahu.Skru:M6	4.25 hingga- Saya tak tahu.5.75	- Saya tak tahu.

- Saya tak tahu.

elektrik- Saya tak tahu.ciri-ciri- Saya tak tahu.daripada- Saya tak tahu.Igbt- Saya tak tahu.tc=25°C- Saya tak tahu.kecuali- Saya tak tahu.sebaliknya- Saya tak tahu.Dicatatkan

Ciri-ciri Off

- Saya tak tahu.

Simbol	parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	- Max.	Unit
v(br)CES	Kolektor-Pemancar voltan pemutusan	tj=25°C	1200	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu.	v
iCES	Kolektor- Saya tak tahu.dipotong- Saya tak boleh.dimatikan- Saya tak tahu.semasa	vc=vCES...vGE=0V,- Saya tak tahu. tj=25°C	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu.	5.0	Ibu
iGES	Kebocoran Gate-Emitter semasa	vGE=vGES...vc=0V,- Saya tak tahu. tj=25°C	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu.	400	tidak

Ciri-ciri On

- Saya tak tahu.

Simbol	parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	- Max.	Unit
vGE(th)	Ambang Gate-Emitter voltan	ic=48Ibu...vc=vGE...- Saya tak tahu.tj=25°C	5.0	5.8	6.5	v
- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. vCE(sat)	- Saya tak tahu. Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	ic=- Saya tak tahu.1200A,VGE=15V,- Saya tak tahu.tj=25°C	- Saya tak tahu.	1.70	2.15	- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. v
- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. vCE(sat)	- Saya tak tahu. Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	ic=- Saya tak tahu.1200A,VGE=15V,- Saya tak tahu.tj=- Saya tak tahu.125°C	- Saya tak tahu.	2.00	2.45	- Saya tak tahu. - Saya tak tahu. v

Ciri-ciri Switching

- Saya tak tahu.

Simbol	parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	- Max.	Unit
qg	Bayaran pintu	vGE=-- Saya tak tahu.15...+15V	- Saya tak tahu.	11.5	- Saya tak tahu.	μC
td(pada)	Masa kelewatan penyambutan	- Saya tak tahu. vcc=600V,Ic=1200A,- Saya tak tahu. rGon=2.4Ω, rGoff=0.82Ω, vGE=±15V,Tj=25°C	- Saya tak tahu.	600	- Saya tak tahu.	n
tr	Masa naik		- Saya tak tahu.	230	- Saya tak tahu.	n
td(dimatikan)	Matikan- Saya tak tahu.Masa Lembapan		- Saya tak tahu.	820	- Saya tak tahu.	n
tf	Waktu kejatuhan		- Saya tak tahu.	150	- Saya tak tahu.	n
epada	Hidupkan- Saya tak tahu.Kerugian Penukaran		- Saya tak tahu.	/	- Saya tak tahu.	mJ
edimatikan	Hilangnya Kehilangan Pertukaran		- Saya tak tahu.	/	- Saya tak tahu.	mJ
td(pada)	Masa kelewatan penyambutan	- Saya tak tahu. vcc=600V,Ic=1200A,- Saya tak tahu. rGon=2.4Ω, rGoff=0.82Ω, vGE=±15V,Tj=- Saya tak tahu.125°C	- Saya tak tahu.	660	- Saya tak tahu.	n
tr	Masa naik		- Saya tak tahu.	220	- Saya tak tahu.	n
td(dimatikan)	Matikan- Saya tak tahu.Masa Lembapan		- Saya tak tahu.	960	- Saya tak tahu.	n
tf	Waktu kejatuhan		- Saya tak tahu.	180	- Saya tak tahu.	n
epada	Hidupkan- Saya tak tahu.Kerugian Penukaran		- Saya tak tahu.	246	- Saya tak tahu.	mJ
edimatikan	Hilangnya Kehilangan Pertukaran		- Saya tak tahu.	191	- Saya tak tahu.	mJ
ce	Kapasiti input	- Saya tak tahu. vc=25V,f=1MHz, vGE=0V	- Saya tak tahu.	86.1	- Saya tak tahu.	NF
coes	Kapacitans Output		- Saya tak tahu.	4.50	- Saya tak tahu.	NF
cres	Pemindahan Balik Kapasitans		- Saya tak tahu.	3.90	- Saya tak tahu.	NF
- Saya tak tahu. isc	- Saya tak tahu. Data SC	tsc≤10μs,VGE=15V, - Saya tak tahu.tj=125°C,Vcc=900V,- Saya tak tahu. vCEM≤1200V	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu. 4800	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu. a
Sayac	Induktans Terbuang	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu.	20	- Saya tak tahu.	- Tidak
rcc’+EE- Saya tak tahu.'	Rintangan pemimpin module,- Saya tak tahu.terminal ke cip	tc=25°C	- Saya tak tahu.	0.18	- Saya tak tahu.	mOh

- Saya tak tahu.

elektrik- Saya tak tahu.ciri-ciri- Saya tak tahu.daripada- Saya tak tahu.Dioda- Saya tak tahu.tc=25°C- Saya tak tahu.kecuali- Saya tak tahu.sebaliknya- Saya tak tahu.Dicatatkan

- Saya tak tahu.

Simbol	parameter	Keadaan Ujian		Min.	- TIP.	- Max.	Unit
vf	Dioda Maju voltan	if=- Saya tak tahu.1200a	tj=25°C	- Saya tak tahu.	1.65	2.15	v
vf	Dioda Maju voltan	if=- Saya tak tahu.1200a	tj=- Saya tak tahu.125°C	- Saya tak tahu.	1.65	2.15	v
qr	Dioda Balik Bayaran pemulihan	- Saya tak tahu. if=- Saya tak tahu.1200A, vr=600V, rGon=2.4Ω, vGE=-- Saya tak tahu.15v	tj=25°C	- Saya tak tahu.	69	- Saya tak tahu.	μC
qr	Dioda Balik Bayaran pemulihan		tj=- Saya tak tahu.125°C	- Saya tak tahu.	129	- Saya tak tahu.	μC
- Saya tak tahu. iRM	Dioda Puncak Pemulihan Terbalik- Saya tak tahu.semasa		tj=25°C	- Saya tak tahu.	485	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu. a
- Saya tak tahu. iRM	Dioda Puncak Pemulihan Terbalik- Saya tak tahu.semasa		tj=- Saya tak tahu.125°C	- Saya tak tahu.	623	- Saya tak tahu.	- Saya tak tahu. a
eREC	Pemulihan Terbalik- Saya tak tahu.tenaga		tj=25°C	- Saya tak tahu.	32	- Saya tak tahu.	mJ
eREC	Pemulihan Terbalik- Saya tak tahu.tenaga		tj=- Saya tak tahu.125°C	- Saya tak tahu.	60	- Saya tak tahu.	mJ

Ciri-ciri Termaics

- Saya tak tahu.

Simbol	parameter	- TIP.	- Max.	Unit
rθJC	Junction-to-Case (per IGBT)	- Saya tak tahu.	24	K/kW
rθJC	Junction-to-Case (per Diode)	- Saya tak tahu.	43	K/kW
rθcs	Kes-ke-Sink (Menggunakan lemak konduktif, permodul)	6	- Saya tak tahu.	K/kW
berat badan	Berat- Saya tak tahu.Modul	1500	- Saya tak tahu.	g