IGBT modulis, 3300V 1000A
Atslēga- Vai?parametri
vTips | 3300- Vai?v |
vc(= 40) | (Typ)- Vai?- Vai?2.40- Vai?v |
ic | (Max)- Vai?1000- Vai?a) |
iC(RM) | (Max)- Vai?- Vai?2000- Vai?a) |
- Vai?
Tipiskas lietošanas metodes
Tipiskas lietošanas metodes
Absolūtā maksimālā vērtība
(Simbols) | (Parameter) | (Testa apstākļi) | (vērtība) | ( vienība) |
VCES | Sildītājs-izsildītājs | VGE = 0V, TC = 25 °C | 3300 | v |
VGES | Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums | TC= 25 °C | ± 20 | v |
I C | Kolektors-izsūknis strāvas | TC = 95 °C | 1000 | a) |
IC(PK) | Sildītāja maksimālais strāvas daudzums | t P= 1ms | 2000 | a) |
P max | Maks. tranzistora jaudas izmešana | Tvj = 150°C, TC = 25 °C | 10.4 | kW |
I 2t | Diode I2t | VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C | 320 | kA2s |
Visol | Izolācijas spriegums – uz moduli | Kopējie termināļi uz pamatplates), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C | 6000 | v |
Q PD | Daļēja izlāde – uz moduli | IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C | 10 | pc |
- Vai?
- Vai?
Elektriskās īpašības
(Simbols) | (Parametrs) | (Testa apstākļi) | (Min) | (Typ) | (Max) | (Vienība) | |
- Vai? I CES | - Vai? - Vai? Kolektors ir pārklāts ar strāvu | VGE = 0V,VCE = VCES | - Vai? | - Vai? | 1 | māte | |
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C | - Vai? | - Vai? | 60 | māte | |||
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C | - Vai? | - Vai? | 100 | māte | |||
I GES | - Vai? Izplūdes strāvas | VGE = ±20V, VCE = 0V | - Vai? | - Vai? | 1 | μA | |
VGE (TH) | Izmantošanas ātrums | I C= 80mA, VGE= VCE | 5.50 | 6.10 | 7.00 | v | |
- Vai? VCE | - Vai? (*1) (sat) | Sātums kolektorā un emitentā spriegums | VGE= 15V, I C= 1000A | - Vai? | 2.40 | 2.90 | v |
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C | - Vai? | 2.95 | 3.40 | v | |||
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C | - Vai? | 3.10 | 3.60 | v | |||
I F | Dioda virsma uz priekšu | dc | - Vai? | 1000 | - Vai? | a) | |
I FRM | - Vai? Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums | t P = 1ms | - Vai? | 2000 | - Vai? | a) | |
- Vai? VF(*1) | - Vai? - Vai? Dioda priekšējā spriegums | I F= 1000A | - Vai? | 2.10 | 2.60 | v | |
I F= 1000A, Tvj= 125 ° C | - Vai? | 2.25 | 2.70 | v | |||
I F= 1000A, Tvj= 150 ° C | - Vai? | 2.25 | 2.70 | v | |||
C ies | - Vai? ies | VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz | - Vai? | 170 | - Vai? | MHz | |
Q g | nF | Vārsta uzlāde | - Vai? | 17 | - Vai? | μC | |
C res | Apgādes pārneses kapacitāte | VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz | - Vai? | 4 | - Vai? | MHz | |
L M | - Vai? Moduļa induktivitāte | - Vai? | - Vai? | 15 | - Vai? | nH | |
R INT | Iekšējā tranzistora pretestība | - Vai? | - Vai? | 165 | - Vai? | μΩ | |
- Vai? I SC | Īssavienojuma strāva, ISC | Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9 | - Vai? | - Vai? 3900 | - Vai? | - Vai? a) | |
- Vai?
Td (izslēgt) | Izslēgšanas kavējuma laiks | - Vai? I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω | - Vai? | 1800 | - Vai? | ns |
t f | Krituma laiks | - Vai? | 530 | - Vai? | ns | |
E OFF | Izslēgšanas enerģijas zudumi | - Vai? | 1600 | - Vai? | mJ | |
(td) | Slēgšanas kavējuma laiks | - Vai? | 680 | - Vai? | ns | |
t r | Atkāpšanās laiks | - Vai? | 320 | - Vai? | ns | |
EON | Ieslēgšanas enerģijas zudums | - Vai? | 1240 | - Vai? | mJ | |
Q rr | Diodes reversās atgūšanas uzlāde | I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us | - Vai? | 780 | - Vai? | μC |
I rr | Diodes reversās atgūšanas strāva | - Vai? | 810 | - Vai? | a) | |
E rec | Diodes reversās atgūšanas enerģija | - Vai? | 980 | - Vai? | mJ | |
Td (izslēgt) | Izslēgšanas kavējuma laiks | - Vai? I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω | - Vai? | 1940 | - Vai? | ns |
t f | Nolieku laiks | - Vai? | 580 | - Vai? | ns | |
E OFF | Izslēgšanas enerģijas zudumi | - Vai? | 1950 | - Vai? | mJ | |
(td) | Slēgšanas kavējuma laiks | - Vai? | 660 | - Vai? | ns | |
t r | Atkāpšanās laiks | - Vai? | 340 | - Vai? | ns | |
EON | Ieslēgšanas enerģijas zudums | - Vai? | 1600 | - Vai? | mJ | |
Q rr | Diodes reversās atgūšanas uzlāde | I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us | - Vai? | 1200 | - Vai? | μC |
I rr | Diodes reversās atgūšanas strāva | - Vai? | 930 | - Vai? | a) |
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.
EN
