IGBT modulis,1700V 650A
īpašības
- Vai?
tipiska- Vai?pieteikumi
Absolūta- Vai?Maksimālā- Vai?Reitingu rādītāji- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?piezīme
IGBT
Sīkāku informāciju | apraksts | vērtība | vienība |
vTips | Sildītājs-izsildītājs | 1700 | v |
v=150 °C | Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums | ± 20 | v |
ic | Saldēšanas šķidrumsc=25oc @ Tc=- Vai?100oc | 1073 650 | a) |
iCM | Pulsējošais kolektorsp=1ms | 1300 | a) |
pd | Maksimālais jaudas izmešana @ Tj=175oc | 4.2 | kW |
- Vai?
Dioda
- Vai?
Sīkāku informāciju | apraksts | vērtība | vienība |
vRRM | Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums | 1700 | v |
if | Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde | 650 | a) |
iFM | Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms | 1300 | a) |
moduls
Sīkāku informāciju | apraksts | vērtība | vienība |
tjmax | Maksimālā savienojuma temperatūra | 175 | oc |
tžop | Darbības savienojuma temperatūra | -40 līdz +150 | oc |
tSTG | uzglabāšanas temperatūraRažotājs | -40 līdz +150 | oc |
vISO | Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min. | 4000 | v |
IGBT- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
Sīkāku informāciju | parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Maksimāli. | vienība |
- Vai? - Vai? vCE (sat) | - Vai? - Vai? Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums | ic=650A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25oc | - Vai? | 1.90 | 2.35 | - Vai? - Vai? v |
ic=650A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125oc | - Vai? | 2.35 | - Vai? | |||
ic=650A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj= 150oc | - Vai? | 2.45 | - Vai? | |||
vĢEN(- - - - - -) | Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums | ic=24.0māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tj=25oc | 5.6 | 6.2 | 6.8 | v |
iTips | Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt strāvas | vc=vTips- Jā,vĢEN=0V, tj=25oc | - Vai? | - Vai? | 5.0 | māte |
i=150 °C | Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas | vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc | - Vai? | - Vai? | 400 | no |
rGint | Iekšējā vārtu pretestība- - - - | - Vai? | - Vai? | 2.3 | - Vai? | Ω |
c125 °C | ies | vc=25V, f=1MHz, vĢEN=0V | - Vai? | 72.3 | - Vai? | MHz |
cres | Atgriezītais pārvedums Jauda | - Vai? | 1.75 | - Vai? | MHz | |
qg | nF | vĢEN=-- Vai?15...+15V | - Vai? | 5.66 | - Vai? | μC |
td(uz) | Slēgšanas kavējuma laiks | - Vai? - Vai? vCC= 900V,Ic=650A,- Vai?rGons=- Vai?1.8Ω,RGoff=2.7Ω,vĢEN=±15V,Tj=25oc | - Vai? | 468 | - Vai? | ns |
tr | Atkāpšanās laiks | - Vai? | 86 | - Vai? | ns | |
td(Izslēgt) | Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks | - Vai? | 850 | - Vai? | ns | |
tf | Nolieku laiks | - Vai? | 363 | - Vai? | ns | |
euz | Slēgt- Vai?pārvēršana zaudējumi | - Vai? | 226 | - Vai? | mJ | |
eIzslēgt | Izslēgtas zaudējumi | - Vai? | 161 | - Vai? | mJ | |
td(uz) | Slēgšanas kavējuma laiks | - Vai? - Vai? vCC= 900V,Ic=650A,- Vai?rGons=- Vai?1.8Ω,RGoff=2.7Ω,vĢEN=±15V,Tj=- Vai?125oc | - Vai? | 480 | - Vai? | ns |
tr | Atkāpšanās laiks | - Vai? | 110 | - Vai? | ns | |
td(Izslēgt) | Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks | - Vai? | 1031 | - Vai? | ns | |
tf | Nolieku laiks | - Vai? | 600 | - Vai? | ns | |
euz | Slēgt- Vai?pārvēršana zaudējumi | - Vai? | 338 | - Vai? | mJ | |
eIzslēgt | Izslēgtas zaudējumi | - Vai? | 226 | - Vai? | mJ | |
td(uz) | Slēgšanas kavējuma laiks | - Vai? - Vai? vCC= 900V,Ic=650A,- Vai?rGons=- Vai?1.8Ω,RGoff=2.7Ω,vĢEN=±15V,Tj=- Vai?150oc | - Vai? | 480 | - Vai? | ns |
tr | Atkāpšanās laiks | - Vai? | 120 | - Vai? | ns | |
td(Izslēgt) | Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks | - Vai? | 1040 | - Vai? | ns | |
tf | Nolieku laiks | - Vai? | 684 | - Vai? | ns | |
euz | Slēgt- Vai?pārvēršana zaudējumi | - Vai? | 368 | - Vai? | mJ | |
eIzslēgt | Izslēgtas zaudējumi | - Vai? | 242 | - Vai? | mJ | |
- Vai? iSC | - Vai? SC dati | tp≤ 10 μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums tj= 150oC,VCC=- Vai?1000V,VCEM≤ 1700V | - Vai? | - Vai? 2600 | - Vai? | - Vai? a) |
Dioda- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
Sīkāku informāciju | parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Maksimāli. | vienība |
- Vai? vf | Diode uz priekšu spriegums | if=650A,VĢEN=0V,Tj=25oc | - Vai? | 1.85 | 2.30 | - Vai? v |
if=650A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?125oc | - Vai? | 1.98 | - Vai? | |||
if=650A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?150oc | - Vai? | 2.02 | - Vai? | |||
qr | Atgūstamā nodeva | vr= 900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VĢEN=-- Vai?15Vtj=25oc | - Vai? | 176 | - Vai? | μC |
iRM | Augstais augstums atgūšanas strāvas | - Vai? | 765 | - Vai? | a) | |
eRec | Atgriezeniska atgūšanaenerģija | - Vai? | 87.4 | - Vai? | mJ | |
qr | Atgūstamā nodeva | vr= 900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VĢEN=-- Vai?15V- Vai?tj=- Vai?125oc | - Vai? | 292 | - Vai? | μC |
iRM | Augstais augstums atgūšanas strāvas | - Vai? | 798 | - Vai? | a) | |
eRec | Atgriezeniska atgūšanaenerģija | - Vai? | 159 | - Vai? | mJ | |
qr | Atgūstamā nodeva | vr= 900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VĢEN=-- Vai?15V- Vai?tj=- Vai?150oc | - Vai? | 341 | - Vai? | μC |
iRM | Augstais augstums atgūšanas strāvas | - Vai? | 805 | - Vai? | a) | |
eRec | Atgriezeniska atgūšanaenerģija | - Vai? | 192 | - Vai? | mJ |
NTC- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
Sīkāku informāciju | parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Maksimāli. | vienība |
r25 | Nominālais pretestība | - Vai? | - Vai? | 5.0 | - Vai? | kΩ |
ΔR/R | Atkāpe- Vai?no- Vai?r100 | tc=- Vai?100- Vai?oC,R100= 493,3Ω | -5 | - Vai? | 5 | % |
p25 | jauda Zudums | - Vai? | - Vai? | - Vai? | 20.0 | sv |
b25/50 | B vērtība | r2=R25eks[B25/501/T2- Esmu gatavs. 1/(298.15K))] | - Vai? | 3375 | - Vai? | k |
b25/80 | B vērtība | r2=R25eks[B25/801/T2- Esmu gatavs. 1/(298.15K))] | - Vai? | 3411 | - Vai? | k |
b25/100 | B vērtība | r2=R25eks[B25/1001/T2- Esmu gatavs. 1/(298.15K))] | - Vai? | 3433 | - Vai? | k |
moduls- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
Sīkāku informāciju | parametrs | Min. | Tips. | Maksimāli. | vienība |
Esc | Neatklāta induktantība | - Vai? | 18 | - Vai? | nH |
rCC+EE | Modulā "Rūgtumvirsme",Termināls uz čipu | - Vai? | 0.30 | - Vai? | mΩ |
rTJC | Savienojums ar lietu (par IGB)T) Savienojums ar kārtu (par D)jods) | - Vai? | - Vai? | 35.8 71.3 | K/kW |
- Vai? rtCH | Izmērs:IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni.diodes) Izmērs:Modulis) | - Vai? | 13.5 26.9 4.5 | - Vai? | K/kW |
- Vai? m | terminala savienojuma griezes moments,- Vai?Skrūve M4- Vai?Termināla savienojums Griezes moments,- Vai?Skrūve M8- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M5 skrūvis | 1.8 8.0 3.0 | - Vai? | 2.1 10.0 6.0 | - Vai? N.m. |
g | svars- Vai?no- Vai?moduls | - Vai? | 810 | - Vai? | g |
- Vai?
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.
EN
