IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

apraksts

Vērtības

vienība

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

v

ic

Saldēšanas šķidrumsc=90oc

900

a)

iCM

Pulsējošais kolektorsp=1ms

1800

a)

pd

Maksimālais jaudas izmešana @ Tj=175oc

3409

w

Sīkāku informāciju

apraksts

Vērtības

vienība

vRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots voltsvecums

1200

v

if

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde

900

a)

iFM

Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms

1800

a)

iFSM

Pārsprieguma uz priekšu strāva  tp=10ms  @tj=25oc- Vai?@ Tj= 150oc

4100

3000

a)

i2t

i2t-vērtība,tp=10ms  @ Tj=25oc

@ Tj= 150oc

84000

45000

a)2s

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

oc

tžop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

oc

tSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

oc

vISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

v

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

ic= 900A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25oc

- Vai?

1.40

1.85

- Vai?

- Vai?

v

ic= 900A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125oc

- Vai?

1.60

- Vai?

ic= 900A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=175oc

- Vai?

1.65

- Vai?

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums

ic=24.0māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tj=25oc

5.5

6.3

7.0

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt

strāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,

tj=25oc

- Vai?

- Vai?

1.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc

- Vai?

- Vai?

400

no

rGint

Iekšējā vārtu pretestība- - - -

- Vai?

- Vai?

0.5

- Vai?

Ω

c125 °C

ies

vc=25V, f=100kHz,- Vai?vĢEN=0V

- Vai?

51.5

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

0.36

- Vai?

MHz

qg

nF

vĢEN=-- Vai?15...+15V

- Vai?

13.6

- Vai?

μC

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,- Vai?vĢEN=-8V/+15V,

tj=25oc

- Vai?

330

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

140

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

842

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

84

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

144

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

87.8

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,- Vai?vĢEN=-8V/+15V,

tj=125oc

- Vai?

373

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

155

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

915

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

135

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

186

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

104

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,- Vai?vĢEN=-8V/+15V,

tj=175oc

- Vai?

390

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

172

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

950

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

162

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

209

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

114

- Vai?

mJ

- Vai?

- Vai?

iSC

- Vai?

- Vai?

SC dati

tp≤8μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tj= 150oC,VCC= 800V,- Vai?vCEM- Vai?≤1200v

- Vai?

- Vai?

3200

- Vai?

- Vai?

a)

tp≤6μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tj=175oC,VCC= 800V,- Vai?vCEM- Vai?≤1200v

- Vai?

- Vai?

3000

- Vai?

- Vai?

a)

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

- Vai?

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if= 900A,VĢEN=0V,Tj=25oc

- Vai?

1.55

2.00

- Vai?

v

if= 900A,VĢEN=0V,Tj=125oc

- Vai?

1.65

- Vai?

if= 900A,VĢEN=0V,Tj=175oc

- Vai?

1.55

- Vai?

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

vr= 600V,If= 900A,

-di/dt=4930A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tj=25oc

- Vai?

91.0

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

441

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

26.3

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

vr= 600V,If= 900A,

-di/dt=4440A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tj=125oc

- Vai?

141

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

493

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

42.5

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

vr= 600V,If= 900A,

-di/dt=4160A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tj=175oc

- Vai?

174

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

536

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

52.4

- Vai?

mJ

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

r25

Nominālais pretestība

- Vai?

- Vai?

5.0

- Vai?

kΩ

∆R/R

Atkāpe- Vai?no- Vai?r100

tc=100- Vai?ocR100= 493,3Ω

-5

- Vai?

5

%

p25

jauda

Zudums

- Vai?

- Vai?

- Vai?

20.0

sv

b25/50

B vērtība

r2=R25eks[B25/501/T2- Esmu gatavs.

1/(298.15K))]

- Vai?

3375

- Vai?

k

b25/80

B vērtība

r2=R25eks[B25/801/T2- Esmu gatavs.

1/(298.15K))]

- Vai?

3411

- Vai?

k

b25/100

B vērtība

r2=R25eks[B25/1001/T2- Esmu gatavs.

1/(298.15K))]

- Vai?

3433

- Vai?

k

Sīkāku informāciju

parametrs

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

20

- Vai?

nH

rCC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

- Vai?

0.80

- Vai?

mΩ

rTJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)

Savienojums ar korpusu (par Di)ode)

- Vai?

- Vai?

0.044

0.076

K/W

- Vai?

rtCH

Izmērs:IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci.r Diode)

Izmērs:Modulis)

- Vai?

0.028

0.049

0.009

- Vai?

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments,- Vai?M6 skrūvis- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M5 skrūvis

3.0

3.0

- Vai?

6.0

6.0

N.m.

g

svars- Vai?no- Vai?moduls

- Vai?

350

- Vai?

g