IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

apraksts

GD1200SGT120A3S

Vienības

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

v

ic

Kolektorstc=25°C

@ Tc=80°C

2100

1200

a)

iCM

Pulsējošais kolektorsp=1Lūdzu

2400

a)

if

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde

1200

a)

iFM

Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms

2400

a)

pd

Maksimālais jaudas izmešana @ Tj=175°C

7.61

kW

tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

tSTG

uzglabāšanas temperatūradiapazons

-40 līdz +125

°C

vISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

uzstādīšana- Vai?griezes moments

Signāla termināla skrūve:M4

1.8 līdz- Vai?2.1

- Vai?

Jaudas termināla skrūve:M8

8.0 līdz- Vai?10

N.m.

Pievienošanas skrūvs:M6

4.25 līdz 5.75

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

v(BR)Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

tj=25°C

1200

- Vai?

- Vai?

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt

strāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,tj=25°C

- Vai?

- Vai?

5.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,- Vai?tj=25°C

- Vai?

- Vai?

400

no

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums

ic=48māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

ic=- Vai?1200A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25°C

- Vai?

1.70

2.15

- Vai?

v

ic=- Vai?1200A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125°C

- Vai?

2.00

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=1200A,

rGons=1.8Ω,rGoff=0.62Ω,vĢEN=±15V,Tj=25°C

- Vai?

550

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

230

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

830

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

160

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana- Vai?zaudējumi

- Vai?

/

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas- Vai?zaudējumi

- Vai?

/

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=- Vai?1200A,- Vai?

rGons=- Vai?1.8Ω,RGoff=0.62Ω,vĢEN=±15V,Tj=125°C

- Vai?

650

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

240

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

970

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

190

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana- Vai?zaudējumi

- Vai?

246

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas- Vai?zaudējumi

- Vai?

189

- Vai?

mJ

c125 °C

ies

vc=25V, f=1MHz,

vĢEN=0V

- Vai?

85.5

- Vai?

MHz

cejs

Izvades jauda

- Vai?

4.48

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

3.87

- Vai?

MHz

- Vai?

iSC

- Vai?

SC dati

tp≤ 10 μs,VĢEN=15- Vai?V,

tj=125°C,

vCC= 900V,- Vai?vCEM≤ 1200V

- Vai?

- Vai?

4800

- Vai?

- Vai?

a)

rGint

Iekšējā vārti

pretestība

- Vai?

- Vai?

1.9

- Vai?

Ω

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

- Vai?

15

- Vai?

nH

- Vai?

rCC+EE

Modula vads

pretestība,

termināls uz čipu

- Vai?

- Vai?

- Vai?

0.10

- Vai?

- Vai?

mΩ

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if=- Vai?1200A

tj=25°C

- Vai?

1.65

2.05

v

tj=125°C

- Vai?

1.65

- Vai?

qr

Atgūstas

maksājums

if=- Vai?1200A,

vr=600V,

rGons=0.6Ω,

vĢEN=-15V

tj=25°C

- Vai?

112

- Vai?

μC

tj=125°C

- Vai?

224

- Vai?

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

tj=25°C

- Vai?

850

- Vai?

a)

tj=125°C

- Vai?

1070

- Vai?

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

tj=25°C

- Vai?

48.0

- Vai?

mJ

tj=125°C

- Vai?

96.0

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Tips.

Maksimāli.

Vienības

rθJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)

- Vai?

19.7

K/kW

rθJC

Savienojums ar kārtu (par D)jods)

- Vai?

31.3

K/kW

rθCS

"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija)(izmantots)

8

- Vai?

K/kW

svars

svars- Vai?moduls

1050

- Vai?

g