IGBT modulis 3300V

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

vērtība

vienība

VCES

Sildītājs-izsildītājs

VGE = 0V, TC = 25 °C

3300

v

VGES

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

TC= 25 °C

± 20

v

IC

Kolektors-izsūknis strāvas

TC = 100 °C

250

a)

IC(PK)

Sildītāja maksimālais strāvas daudzums

TP=1ms

500

a)

Pmax

Maks. tranzistora jaudas izmešana

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

kW

I2t

Diode I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

20

kA2s

- Vai?

Visol

Izolācijas spriegums - uz moduļu

(Kopienas termināli uz bāzes plātnēm), AC RMS,1 min, 50 Hz, TC= 25 °C

- Vai?

6

- Vai?

kv

- Vai?

QPD

Daļaizplūdes - uz vienu moduļu

- Vai?

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

- Vai?

10

- Vai?

pc

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

- Vai?

- Vai?

ICES

- Vai?

- Vai?

Kolektors ir pārklāts ar strāvu

VGE = 0V,VCE = VCES

- Vai?

- Vai?

1

māte

VGE = 0V, VCE = VCES, TC = 125 °C

- Vai?

- Vai?

15

māte

VGE = 0V, VCE = VCES, TC = 150 °C

- Vai?

- Vai?

25

māte

IGES

Izplūdes strāvas

VGE = ±20V, VCE = 0V

- Vai?

- Vai?

1

μA

VGE (TH)

Izmantošanas ātrums

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

v

- Vai?

- Vai?

VCE (sat) ((*1)

- Vai?

- Vai?

Sātums kolektorā un emitentā- Vai?spriegums

VGE = 15V, IC = 250A

- Vai?

2.50

2.80

v

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

- Vai?

3.15

3.45

v

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

- Vai?

3.30

3.60

v

ja

Dioda virsma uz priekšu

dc

- Vai?

250

- Vai?

a)

IFRM

Dioda maksimālais virsmais

tP = 1 ms

- Vai?

500

- Vai?

a)

- Vai?

- Vai?

VF(*1)

- Vai?

- Vai?

Dioda priekšējā spriegums

IF = 250A, VGE = 0

- Vai?

2.10

2.40

v

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

- Vai?

2.25

2.55

v

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

- Vai?

2.25

2.55

v

- Vai?

ISC

Maizes un dārzeņu maisījumi

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, IEC 6074-9

- Vai?

- Vai?

900

- Vai?

- Vai?

a)

- Vai?

- Vai?

- Vai?

ICES

- Vai?

- Vai?

Kolektors ir pārklāts ar strāvu

VGE = 0V,VCE = VCES

- Vai?

- Vai?

1

māte

VGE = 0V, VCE = VCES, TC = 125 °C

- Vai?

- Vai?

15

māte

VGE = 0V, VCE = VCES, TC = 150 °C

- Vai?

- Vai?

25

māte

IGES

Izplūdes strāvas

VGE = ±20V, VCE = 0V

- Vai?

- Vai?

1

μA

VGE (TH)

Izmantošanas ātrums

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

v

- Vai?

- Vai?

VCE (sat) ((*1)

- Vai?

- Vai?

Sātums kolektorā un emitentā

spriegums

VGE = 15V, IC = 250A

- Vai?

2.50

2.80

v

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

- Vai?

3.15

3.45

v

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

- Vai?

3.30

3.60

v

ja

Dioda virsma uz priekšu

dc

- Vai?

250

- Vai?

a)

IFRM

Dioda maksimālais virsmais

tP = 1 ms

- Vai?

500

- Vai?

a)

- Vai?

- Vai?

VF(*1)

- Vai?

- Vai?

Dioda priekšējā spriegums

IF = 250A, VGE = 0

- Vai?

2.10

2.40

v

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

- Vai?

2.25

2.55

v

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

- Vai?

2.25

2.55

v

- Vai?

ISC

- Vai?

Maizes un dārzeņu maisījumi

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, IEC 6074-9

- Vai?

- Vai?

900

- Vai?

- Vai?

a)

- Vai?

td(izslēgt)

- Vai?

Izslēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

- Vai?

ic- Vai?= 250A,

vc- Vai?=- Vai?1800 V,- Vai?vĢEN- Vai?=- Vai?±15 V,- Vai?rG (OFF)- Vai?=- Vai?9.0Ω- Vai?- Jā,- Vai?cĢEN- Vai?=- Vai?56nF,

Ess- Vai?=- Vai?150nH,

tvj=- Vai?25- Vai?°c

- Vai?

1480

- Vai?

- Vai?

ns

tvj=- Vai?125- Vai?°c

- Vai?

1550

- Vai?

tvj=- Vai?150- Vai?°c

- Vai?

1570

- Vai?

- Vai?

tf

- Vai?

Nolieku laiks

tvj=- Vai?25- Vai?°c

- Vai?

1280

- Vai?

- Vai?

ns

tvj=- Vai?125- Vai?°c

- Vai?

1920

- Vai?

tvj=- Vai?150- Vai?°c

- Vai?

2120

- Vai?

- Vai?

eIzslēgt

- Vai?

Izslēgšanas enerģijas zudumi

tvj=- Vai?25- Vai?°c

- Vai?

300

- Vai?

- Vai?

mJ

tvj=- Vai?125- Vai?°c

- Vai?

380

- Vai?

tvj=- Vai?150- Vai?°c

- Vai?

400

- Vai?

- Vai?

td ((on)

- Vai?

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

- Vai?

ic- Vai?= 250A,

vc- Vai?=- Vai?1800 V,- Vai?vĢEN- Vai?=- Vai?±15 V,- Vai?rG ((ON)- Vai?= 6,0Ω- Vai?- Jā,- Vai?cĢEN- Vai?=- Vai?56nF,

Ess- Vai?=- Vai?150nH,

tvj=- Vai?25- Vai?°c

- Vai?

640

- Vai?

- Vai?

ns

tvj=- Vai?125- Vai?°c

- Vai?

650

tvj=- Vai?150- Vai?°c

- Vai?

650

- Vai?

tr

- Vai?

Atkāpšanās laiks

tvj=- Vai?25- Vai?°c

- Vai?

220

- Vai?

- Vai?

ns

tvj=- Vai?125- Vai?°c

- Vai?

235

tvj=- Vai?150- Vai?°c

- Vai?

238

- Vai?

euz

- Vai?

Slēgšanas enerģija- Vai?zaudējumi

tvj=- Vai?25- Vai?°c

- Vai?

395

- Vai?

- Vai?

mJ

tvj=- Vai?125- Vai?°c

- Vai?

510

- Vai?

tvj=- Vai?150- Vai?°c

- Vai?

565

- Vai?

- Vai?

qR

Dioda- Vai?atkārtots

atgūstamās izmaksas

- Vai?

- Vai?

- Vai?

- Vai?

if- Vai?= 250A,

vc- Vai?=- Vai?1800 V,

- Dif/dt- Vai?=- Vai?1200A/us,- Vai?(tvj=- Vai?125- Vai?°c).

tvj=- Vai?25- Vai?°c

- Vai?

190

- Vai?

- Vai?

μC

tvj=- Vai?125- Vai?°c

- Vai?

295

- Vai?

tvj=- Vai?150- Vai?°c

- Vai?

335

- Vai?

- Vai?

iR

Dioda- Vai?atkārtots

atgūšanas strāvas

tvj=- Vai?25- Vai?°c

- Vai?

185

- Vai?

- Vai?

a)

tvj=- Vai?125- Vai?°c

- Vai?

210

- Vai?

tvj=- Vai?150- Vai?°c

- Vai?

216

- Vai?

- Vai?

eRec

Dioda- Vai?atkārtots

atjaunojamo enerģiju

tvj=- Vai?25- Vai?°c

- Vai?

223

- Vai?

- Vai?

mJ

tvj=- Vai?125- Vai?°c

- Vai?

360

- Vai?

tvj=- Vai?150- Vai?°c

- Vai?

410

- Vai?