IGBT modulis 1700V

(Simbols)

(Parametrs)

(Testa apstākļi)

(vērtība)

(Vienība)

VCES

Sildītājs-izsildītājs

V GE = 0V, TC= 25。c

1700

v

V GES

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

TC= 25。c

± 20

v

I C

Kolektors-izsūknis strāvas

TC  = 80。c

800

a)

I C(PK)

Sildītāja maksimālais strāvas daudzums

t P=1ms

1600

a)

P max

Maks. tranzistora jaudas izmešana

Tvj  = 150。C, TC = 25。c

6.94

kW

I 2t

Diode I 2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125。c

120

kA2s

- Vai?

Visol

Izolācijas spriegums – uz moduli

(Kopējo termināļu savienojums ar pamatni),

AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25。c

4000

v

Q PD

Daļēja izlāde – uz moduli

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25。c

10

pc

(Sīkāku informāciju)

- Vai?(parametrs)

(Testa apstākļi)

(min)

(Simbols)

(maksimāli)

(vienība)

- Vai?

I CES

Kolektors ir pārklāts ar strāvu

V GE = 0V,VCE  = VCES

- Vai?

- Vai?

1

māte

V GE = 0V, VCE  = VCES , TC=125 ° C

- Vai?

- Vai?

25

māte

I GES

Izplūdes strāvas

V GE = ±20V, VCE  = 0V

- Vai?

- Vai?

4

μA

V GE (TH)

Izmantošanas ātrums

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

v

- Vai?

VCE (sat) ((*1)

Kolektora-emisijas piesātinājuma spriegums

V GE =15V, I C  = 800A

- Vai?

2.30

2.60

v

V GE =15V, I C  = 800A,Tvj = 125 ° C

- Vai?

2.80

3.10

v

I F

Dioda virsma uz priekšu

DCdc

- Vai?

- Vai?

800

a)

I FRM

Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums

t P = 1ms

- Vai?

- Vai?

1600

a)

- Vai?

VF(*1)

Dioda priekšējā spriegums

I F = 800A

- Vai?

1.70

2.00

v

I F = 800A, Tvj  = 125 ° C

- Vai?

1.80

2.10

v

C ies

ies

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

- Vai?

60

- Vai?

MHz

Q g

nF

Vārsta uzlāde

- Vai?

9

- Vai?

μC

C res

Apgādes pārneses kapacitāte

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

- Vai?

- Vai?

- Esmu gatavs.

- Vai?

MHz

L M

Moduļa induktivitāte

- Vai?

- Vai?

20

- Vai?

nH

R INT

Iekšējā tranzistora pretestība

- Vai?

- Vai?

270

- Vai?

μΩ

- Vai?

- Vai?

I SC

Īssavienojuma strāva, ISC

Tvj = 125° C, VCC  = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

- Vai?

- Vai?

- Vai?

3700

- Vai?

- Vai?

- Vai?

a)

Td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

- Vai?

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

- Vai?

890

- Vai?

ns

t f

Nolieku laiks

- Vai?

220

- Vai?

ns

E OFF

Izslēgšanas enerģijas zudumi

- Vai?

220

- Vai?

mJ

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

320

- Vai?

ns

t r

Atkāpšanās laiks

- Vai?

190

- Vai?

ns

EON

Ieslēgšanas enerģijas zudums

- Vai?

160

- Vai?

mJ

Q rr

Diodes reversās atgūšanas uzlāde

- Vai?

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

- Vai?

260

- Vai?

μC

I rr

Diodes reversās atgūšanas strāva

- Vai?

510

- Vai?

a)

E rec

Diodes reversās atgūšanas enerģija

- Vai?

180

- Vai?

mJ

Td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

- Vai?

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

- Vai?

980

- Vai?

ns

t f

Nolieku laiks

- Vai?

280

- Vai?

ns

E OFF

Izslēgšanas enerģijas zudumi

- Vai?

290

- Vai?

mJ

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

400

- Vai?

ns

t r

Atkāpšanās laiks

- Vai?

250

- Vai?

ns

EON

Ieslēgšanas enerģijas zudums

- Vai?

230

- Vai?

mJ

Q rr

Diodes reversās atgūšanas uzlāde

- Vai?

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

- Vai?

420

- Vai?

μC

I rr

Diodes reversās atgūšanas strāva

- Vai?

580

- Vai?

a)

E rec

Diodes reversās atgūšanas enerģija

- Vai?

280

- Vai?

mJ