IGBT modulis 3300V

(Simbols)

(Parametrs)

(Testa apstākļi)

(vērtība)

(Vienība)

VCES

Sildītājs-izsildītājs

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

v

V GES

  Vārsta-emisijas spriegums

- Vai?

± 20

v

I C

Kolektors-izsūknis strāvas

T korpuss = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

a)

I C(PK)

Sildītāja maksimālais strāvas daudzums

1ms,  T korpuss = 140 °C

1000

a)

P max

Maks. tranzistora jaudas izmešana

Tvj = 150°C, T korpuss = 25 °C

5.2

kW

I 2t

Diodes I t

VR =0V, t P  = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

Izolācijas spriegums – uz moduli

 Kopējie termināļi uz pamatplates),

AC RMS,1 min, 50Hz

6000

v

Q PD

Daļēja izlāde – uz moduli

IEC1287. V 1 = 3500V, V2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C

10

pc

tuzglabāšanas- Vai?= 25 °c- Vai?t- Vai?uzglabāšanas- Vai?= 25°c- Vai?ja- Vai?nav- Vai?norādīts

(Sīkāku informāciju)

(Parametrs)

(Testa apstākļi)

(min)

(Simbols)

(maksimāli)

(vienība)

- Vai?

- Vai?

i- Vai?Tips

Kolektors ir pārklāts ar strāvu

v- Vai?ĢEN- Vai?GE- Vai?vc- Vai?=- Vai?vTips

- Vai?

- Vai?

1

māte

v- Vai?ĢEN- Vai?GE- Vai?vc- Vai?=- Vai?vTips- Vai?- Jā,- Vai?t- Vai?uzglabāšanas- Vai?=

- Vai?

- Vai?

30

māte

v- Vai?ĢEN- Vai?GE- Vai?vc- Vai?=vTips- Vai?- Jā,- Vai?t- Vai?uzglabāšanas- Vai?=125 °C

- Vai?

- Vai?

50

māte

i- Vai?=150 °C

GES- Vai?strāvas

v- Vai?ĢEN- Vai?Vārsta noplūde- Vai?vc- Vai?= ±20V,

- Vai?

- Vai?

1

μA

v- Vai?ĢEN- Vai?μA

Izmantošanas ātrums

i- Vai?c- Vai?Vārsta sliekšņa spriegumsmāte- Jā,- Vai?v- Vai?ĢEN- Vai?=vc

5.50

6.10

7.00

v

- Vai?

- Vai?

vc- Vai?(= 40)sat

Sātums kolektorā un emitentā- Vai?spriegums

v- Vai?ĢEN- Vai?Kolektora-emiteru piesātinājumsi- Vai?=15V,=- Vai?C  

- Vai?

2.40

2.90

v

v- Vai?ĢEN- Vai?Kolektora-emiteru piesātinājumsi- Vai?c- Vai?500Atvj- Vai?=- Vai?125- Vai?°c

- Vai?

2.95

3.40

v

v- Vai?ĢEN- Vai?Kolektora-emiteru piesātinājumsi- Vai?c- Vai?500Atvj- Vai?=- Vai?150- Vai?°c

- Vai?

3.10

3.60

v

i- Vai?f

Dioda virsma uz priekšu

dc

- Vai?

500

- Vai?

a)

i- Vai?Diodes uzpriekšējā strāva

FRM- Vai?strāvas

t- Vai?p- Vai?=- Vai?Diodes maksimālā uzpriekšējā

- Vai?

1000

- Vai?

a)

- Vai?

- Vai?

vfsat

- Vai?

Dioda priekšējā spriegums

i- Vai?f- Vai?=- Vai?C  

- Vai?

2.10

2.60

v

i- Vai?f- Vai?500A- Vai?tvj- Vai?=- Vai?Diodes uzpriekšējā spriegums

- Vai?

2.25

2.70

v

i- Vai?f- Vai?500A- Vai?tvj- Vai?=- Vai?150 °c

- Vai?

2.25

2.70

v

c125 °C

ies

vc- Vai?Ievades kapacitāte- Vai?v- Vai?ĢEN- Vai?GEf- Vai?=- Vai?1= 25V,

- Vai?

90

- Vai?

MHz

qg

nF

Vārsta uzlāde

- Vai?

9

- Vai?

μC

cres

μCApgrozījuma pārneses kapacitāte

vc- Vai?Ievades kapacitāte- Vai?v- Vai?ĢEN- Vai?GEf- Vai?=- Vai?1= 25V,

- Vai?

2

- Vai?

MHz

Es- Vai?m

moduls- Vai?induktivitāte

- Vai?

- Vai?

25

- Vai?

nH

r- Vai?INT

Iekšējā tranzistora pretestība

- Vai?

- Vai?

310

- Vai?

μΩ

- Vai?

- Vai?

i- Vai?SC

īslaicīgs savienojums- Vai?strāva,- Vai?iSC

tvj- Vai?=- Vai?150°C,- Vai?v- Vai?CC- Vai?= 2500V,- Vai?v- Vai?ĢEN- Vai?≤15 V,tp- Vai?≤10μs,

vc(maksimāli)- Vai?=- Vai?vTips- Vai?–Es- Vai?(*2)- Vai?×di/dt- Jā, IEC- Vai?6074-9

- Vai?

- Vai?

- Vai?

1800

- Vai?

- Vai?

- Vai?

a)

Td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

I C =500A    VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V    RG(ON) = 3.0Ω  RG(OFF)= 4.5Ω

- Vai?

1720

- Vai?

ns

t f

Nolieku laiks

- Vai?

520

- Vai?

ns

E OFF

Izslēgšanas enerģijas zudumi

- Vai?

780

- Vai?

mJ

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

650

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

260

- Vai?

ns

EON

Ieslēgšanas enerģijas zudums

- Vai?

730

- Vai?

mJ

Qrr

Diodes reversās atgūšanas uzlāde

- Vai?

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

- Vai?

390

- Vai?

μC

I rr

Diodes reversās atgūšanas strāva

- Vai?

420

- Vai?

a)

Erec

Diodes reversās atgūšanas enerģija

- Vai?

480

- Vai?

mJ

(Simbols)

 (Parameter)

(Testa apstākļi)

 (Min)

(Typ)

 (Max)

(Vienība)

Td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

I C =500A    VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH   V GE = ±15V  RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

- Vai?

1860

- Vai?

ns

t f

Nolieku laiks

- Vai?

550

- Vai?

ns

E OFF

Izslēgšanas enerģijas zudumi

- Vai?

900

- Vai?

mJ

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

630

- Vai?

ns

tr

Pacešanās laiksAtkāpšanās laiks

- Vai?

280

- Vai?

ns

EON

Ieslēgšanas enerģijas zudums

- Vai?

880

- Vai?

mJ

Qrr

Diodes reversās atgūšanas uzlāde

- Vai?

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

- Vai?

620

- Vai?

μC

I rr

Diodes reversās atgūšanas strāva

- Vai?

460

- Vai?

a)

Erec

Diodes reversās atgūšanas enerģija

- Vai?

760

- Vai?

mJ

(Simbols)

  (Parameter)

(Testa apstākļi)

 (Min)

 (Typ)

 (Max)

(Vienība)

Td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

I C =500A    VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH   V GE = ±15V  RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

- Vai?

1920

- Vai?

ns

t f

Krituma laiks

- Vai?

560

- Vai?

ns

E OFF

Izslēgšanas enerģijas zudumi

- Vai?

1020

- Vai?

mJ

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

620

- Vai?

ns

tr

Pacešanās laiks

- Vai?

280

- Vai?

ns

EON

Ieslēgšanas enerģijas zudums

- Vai?

930

- Vai?

mJ

Qrr

Diodes reversās atgūšanas uzlāde

- Vai?

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

- Vai?

720

- Vai?

μC

I rr

Diodes reversās atgūšanas strāva

- Vai?

490

- Vai?

a)

Erec

Diodes reversās atgūšanas enerģija

- Vai?

900

- Vai?

mJ