IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD400CUT170C2S

Vienības

V Tips

Kolektora-emisijas spriegums @ T j =25 °C

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

V

I C

Kolektora strāva @ T C = 25°C

@ T C =80 °C

650

400

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

800

A

p tot

Kopējā jaudas zudums @ T j = 150°C

2403

Platums

T SC

Slēgtā savienojuma izturēšanās laiks @ T j = 150 °C

10

μs

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1700

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

3.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde

Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis

Spriegums

I C = 16mA,V CE =V ĢEN , T j =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

2.00

2.45

V

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 125°C

2.40

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD400CUT170C2S

Vienības

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums @ Tj=25 °C

1700

V

I F

DC priekšējā strāva @ T C =80 °C

100

A

I Diodes uzpriekšējā strāva

Atkārtota maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

200

A

I 2T

I 2t-vērtība,V r =0V,T p =1 0ms,T j =125 °C

1800

A 2s

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 100A,V ĢEN =0V

T j =25 °C

1.80

2.20

V

T j = 125°C

1.90

Q r

Dioda atkārtots

atgūstamās izmaksas

I F = 100A,

V r = 900V,

di/dt=-2450A/μs, V ĢEN =- 15V

T j =25 °C

29.0

μC

T j = 125°C

48.5

I RM

Dioda virsmas

Atgriezeniska atgūšana Pašreiz

T j =25 °C

155

A

T j = 125°C

165

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

15.5

mJ

T j = 125°C

27.5

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC + EE ’

Moduļa vadu pretestība, termināls uz mikroshēmu @ T C =25 °C

0.35

m Ω

r θ JC

Savienojums uz korpusu

(IGBT-invertors, katram 1/2 moduļa (le)

0.052

K/W

Savienojums uz korpusu

(DIODE-bremžu-čopperim katram 1/2 moduļa)

0.280

r θ CS

(Vidēja tauku un (attiecīgi)

0.035

K/W

T j

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

°C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40

125

°C

Montāža

Nomākšanas

Jaudas termināls Šķirbju:M6

2.5

5.0

N.m.

Montāža Šķirbju:M6

3.0

5.0

G

Svars of modulis

300

G