IGBT modulis 1700V

GD650HFX170P1S,IGBT modulis,STARPOWER

1700V 650A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD650HFX170P1S

Ievads
Kontūra

Ievads

Īss ievads darbība

IGBT modulis , ko ražo STARPOWER. 1700V 650A

Iespējas

Zema V CE (= 40 ) Grīdas IGBT TEHNOLOĢIJA
10μs īss īssavienojuma spējas ība
V CE (= 40 ) ar pozitīvs Temperatūra koeficients
Maksimālā Junkcijas temperatūra 175O C
Paplašināta diode reģeneratīvai darbība
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Augsta jauda un termiskā cikla spēja tība

Tipiska Lietojumi

Augstas jaudas pārveidotājs
Vēja un saules enerģija
Vilces piedziņa

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 O C ja norādīts Piezīme

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1700	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C = 100O C	1073 650	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	1300	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C	4.2	KW

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums	1700	V
I F	Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde	650	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	1300	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	O C
T STG	uzglabāšanas temperatūra Diapazons	-40 līdz +150	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.	4000	V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =650A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C		1.90	2.35	V
		I C =650A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C		2.35
		I C =650A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C		2.45
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =24.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C			5.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība - - - -			2.3		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		72.3		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		1.75		MHz
Q G	nF	V ĢEN =- 15...+15V		5.66		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =650A, r Gons = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V ĢEN =±15V,T j =25 O C		468		ns
T r	Atkāpšanās laiks			86		ns
T D (Izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			850		ns
T F	Nolieku laiks			363		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			226		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			161		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =650A, r Gons = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V ĢEN =±15V,T j = 125O C		480		ns
T r	Atkāpšanās laiks			110		ns
T D (Izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			1031		ns
T F	Nolieku laiks			600		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			338		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			226		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 900V,I C =650A, r Gons = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V ĢEN =±15V,T j = 150O C		480		ns
T r	Atkāpšanās laiks			120		ns
T D (Izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			1040		ns
T F	Nolieku laiks			684		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			368		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			242		mJ
I SC	SC dati	T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V		2600		A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =650A,V ĢEN =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	V
		I F =650A,V ĢEN =0V,T j = 125O C		1.98
		I F =650A,V ĢEN =0V,T j = 150O C		2.02
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 O C		176		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			765		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			87.4		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 125O C		292		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			798		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			159		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150O C		341		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			805		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			192		mJ

NTC raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
r 25	Nominālais pretestība			5.0		kΩ
ΔR/R	Atkāpe of r 100	T C = 100 O C,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
p 25	Jauda Zudums				20.0	mW
B 25/50	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		18		nH
r CC+EE	Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu		0.30		mΩ
r TJC	Savienojums ar lietu (par IGB) T) Savienojums ar kārtu (par D) jods)			35.8 71.3	K/kW
r tCH	Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes) Izmērs: Modulis)		13.5 26.9 4.5		K/kW
m	terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M4 Termināla savienojums Griezes moments, Skrūve M8 Monta griezes moments, M5 skrūvis	1.8 8.0 3.0		2.1 10.0 6.0	N.m.
G	Svars of modulis		810		G