1700V 650A
Īss ievadsdarbība
IGBT modulis, ko ražo STARPOWER. 1700V 650A
Iespējas
Tipiska Lietojumi
Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji TC=25OC ja norādīts Piezīme
IGBT
Sīkāku informāciju | Apraksts | vērtību | Drošības un drošības politika |
VTips | Sildītājs-izsildītājs | 1700 | V |
V=150 °C | Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums | ±20 | V |
IC | Kolektora strāva @ TC=25OC @ TC= 100OC | 1073 650 | A |
ICM | Impulsu kolektora strāva tp=1ms | 1300 | A |
pD | Maksimālā jauda Dissipācija @ Tj=175OC | 4.2 | KW |
Dioda
Sīkāku informāciju | Apraksts | vērtību | Drošības un drošības politika |
VRRM | Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums | 1700 | V |
IF | Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde | 650 | A |
IFM | Diodes maksimālā priekšējā strāva tp=1ms | 1300 | A |
modulis
Sīkāku informāciju | Apraksts | vērtību | Drošības un drošības politika |
Tjmax | Maksimālā savienojuma temperatūra | 175 | OC |
Tžop | Darbības savienojuma temperatūra | -40 līdz +150 | OC |
TSTG | uzglabāšanas temperatūraDiapazons | -40 līdz +150 | OC |
VISO | Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min. | 4000 | V |
IGBT raksturlielumi TC=25OC ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
VCE (sat) |
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums | IC=650A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums Tj=25OC |
| 1.90 | 2.35 |
V |
IC=650A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums Tj=125OC |
| 2.35 |
| |||
IC=650A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums Tj= 150OC |
| 2.45 |
| |||
VĢEN(ts) | Vārda emitenta slieksnis Spriegums | IC=24.0mA,VCE=VĢEN, Tj=25OC | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V |
ITips | Kolektors Izgriežts-Izslēgt Pašreiz | VCE=VTips,VĢEN=0V, Tj=25OC |
|
| 5.0 | mA |
I=150 °C | Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz | VĢEN=V=150 °C,VCE=0V,Tj=25OC |
|
| 400 | nA |
rGint | Iekšējā vārtu pretestība- - - - |
|
| 2.3 |
| Ω |
C125 °C | ies | VCE=25V, f=1MHz, VĢEN=0V |
| 72.3 |
| MHz |
Cpretestība | Atgriezītais pārvedums Jauda |
| 1.75 |
| MHz | |
QG | nF | VĢEN=- 15...+15V |
| 5.66 |
| μC |
TD(ieslēgta) | Slēgšanas kavējuma laiks |
VCC= 900V,IC=650A, rGons= 1.8Ω,RGoff=2.7Ω,VĢEN=±15V,Tj=25OC |
| 468 |
| ns |
Tr | Atkāpšanās laiks |
| 86 |
| ns | |
TD(Izslēgt) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 850 |
| ns | |
TF | Nolieku laiks |
| 363 |
| ns | |
Eieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 226 |
| mJ | |
EIzslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 161 |
| mJ | |
TD(ieslēgta) | Slēgšanas kavējuma laiks |
VCC= 900V,IC=650A, rGons= 1.8Ω,RGoff=2.7Ω,VĢEN=±15V,Tj= 125OC |
| 480 |
| ns |
Tr | Atkāpšanās laiks |
| 110 |
| ns | |
TD(Izslēgt) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 1031 |
| ns | |
TF | Nolieku laiks |
| 600 |
| ns | |
Eieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 338 |
| mJ | |
EIzslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 226 |
| mJ | |
TD(ieslēgta) | Slēgšanas kavējuma laiks |
VCC= 900V,IC=650A, rGons= 1.8Ω,RGoff=2.7Ω,VĢEN=±15V,Tj= 150OC |
| 480 |
| ns |
Tr | Atkāpšanās laiks |
| 120 |
| ns | |
TD(Izslēgt) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 1040 |
| ns | |
TF | Nolieku laiks |
| 684 |
| ns | |
Eieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 368 |
| mJ | |
EIzslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 242 |
| mJ | |
ISC |
SC dati | Tp≤ 10 μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums Tj= 150OC,VCC= 1000V,VCEM≤ 1700V |
|
2600 |
|
A |
Dioda raksturlielumi TC=25OC ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
VF | Diode uz priekšu Spriegums | IF=650A,VĢEN=0V,Tj=25OC |
| 1.85 | 2.30 |
V |
IF=650A,VĢEN=0V,Tj= 125OC |
| 1.98 |
| |||
IF=650A,VĢEN=0V,Tj= 150OC |
| 2.02 |
| |||
Qr | Atgūstamā nodeva | Vr= 900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VĢEN=- 15VTj=25OC |
| 176 |
| μC |
IRM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 765 |
| A | |
ERec | Atgriezeniska atgūšanaenerģija |
| 87.4 |
| mJ | |
Qr | Atgūstamā nodeva | Vr= 900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VĢEN=- 15V Tj= 125OC |
| 292 |
| μC |
IRM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 798 |
| A | |
ERec | Atgriezeniska atgūšanaenerģija |
| 159 |
| mJ | |
Qr | Atgūstamā nodeva | Vr= 900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VĢEN=- 15V Tj= 150OC |
| 341 |
| μC |
IRM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 805 |
| A | |
ERec | Atgriezeniska atgūšanaenerģija |
| 192 |
| mJ |
NTC raksturlielumi TC=25OC ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
r25 | Nominālais pretestība |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | Atkāpe of r100 | TC= 100 OC,R100= 493,3Ω | -5 |
| 5 | % |
p25 | Jauda Zudums |
|
|
| 20.0 | mW |
B25/50 | B vērtība | r2=R25eks[B25/501/T2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| K |
B25/80 | B vērtība | r2=R25eks[B25/801/T2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| K |
B25/100 | B vērtība | r2=R25eks[B25/1001/T2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| K |
modulis raksturlielumi TC=25OC ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
GarumsCE | Neatklāta induktantība |
| 18 |
| nH |
rCC+EE | Modulā "Rūgtumvirsme",termināls uz čipu |
| 0.30 |
| mΩ |
rTJC | Savienojums ar lietu (par IGB)T) Savienojums ar kārtu (par D)jods) |
|
| 35.8 71.3 | K/kW |
rtCH | Izmērs:IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni.diodes) Izmērs:Modulis) |
| 13.5 26.9 4.5 |
| K/kW |
m | terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M4 Termināla savienojumsGriezes moments, Skrūve M8 Monta griezes moments, M5 skrūvis | 1.8 8.0 3.0 |
| 2.1 10.0 6.0 |
N.m. |
G | Svars of modulis |
| 810 |
| G |
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.
EN
