IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD2400SGT120C4S

Vienības

VTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

IC

Kolektora strāva @TC=25°C

@ TC= 100°C

3800

2400

A

ICM

Impulsu kolektora strāva tp=1Lūdzu

4800

A

IF

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde

2400

A

IFM

Diodes maksimālā priekšējā strāva tp=1ms

4800

A

pD

Maksimālā jauda Dissipācija @ Tj=175°C

12.9

KW

Tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

Tžop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

°C

TSTG

uzglabāšanas temperatūraDiapazons

-40 līdz +125

°C

VISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

3400

V

Montāža Nomākšanas

Signāla termināla skrūve:M4

1.8 līdz 2.1

Jaudas termināla skrūve:M8

8.0 līdz 10

N.m.

Pievienošanas skrūvs:M6

4.25 līdz 5.75

Svars

Masas modulis

2300

G

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V(BR)Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

Tj=25°C

1200

V

ITips

Kolektors Izgriežts-Izslēgt

Pašreiz

VCE=VTips,VĢEN=0V,Tj=25°C

5.0

mA

I=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

VĢEN=V=150 °C,VCE=0V, Tj=25°C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

VĢEN(ts)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

IC=96mA,VCE=VĢEN, Tj=25°C

5.0

5.8

6.5

V

VCE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

IC=2400A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums Tj=25°C

1.70

2.15

V

IC=2400A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums Tj=125°C

2.00

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

TD(ieslēgta)

Slēgšanas kavējuma laiks

VCC= 600V,IC=2400A, rGons= 1.2Ω,

rGoff=0.3Ω,

VĢEN=±15V,Tj=25°C

600

ns

Tr

Atkāpšanās laiks

215

ns

TD(Izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

810

ns

TF

Nolieku laiks

145

ns

Eieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

/

mJ

EIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

/

mJ

TD(ieslēgta)

Slēgšanas kavējuma laiks

VCC= 600V,IC=2400A, rGons= 1.2Ω,

rGoff=0.3Ω,

VĢEN=±15V,Tj= 125°C

695

ns

Tr

Atkāpšanās laiks

235

ns

TD(Izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

970

ns

TF

Nolieku laiks

182

ns

Eieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

488

mJ

EIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

382

mJ

C125 °C

ies

VCE=25V, f=1MHz,

VĢEN=0V

173

MHz

Cejs

Izvades jauda

9.05

MHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

7.85

MHz

ISC

SC dati

Tp≤ 10 μs,VĢEN=15 V,

Tj=125°C,VCC= 900V, VCEM≤ 1200V

9600

A

QG

nF

VCC= 600V,IC=2400A, VĢEN=-15 ﹍+15V

23.0

μC

rGint

Iekšējā vārtu pretestība- - - -

0.42

Ω

GarumsCE

Neatklāta induktantība

10

nH

rCC+EE

Modula vads

pretestība,

termināls uz čipu

0.12

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

VF

Diode uz priekšu

Spriegums

IF=2400A

VĢEN=0V

Tj=25°C

1.65

2.05

V

Tj=125°C

1.65

Qr

Atgūstas

Uzlāde

IF=2400A,

Vr=600V,

rGons=0.3Ω,

VĢEN=-15V

Tj=25°C

240

μC

Tj=125°C

460

IRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

Tj=25°C

1650

A

Tj=125°C

2150

ERec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

Tj=25°C

/

mJ

Tj=125°C

208

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

rθJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)

11.6

K/kW

rθJC

Savienojums ar kārtu (par D)jods)

19.7

K/kW

rθCS

"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija)(izmantots)

4

K/kW