GD2400SGT120C4S,IGBT modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD2400SGT120C4S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

3800

2400

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1 Lūdzu

4800

A

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

2400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

4800

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =1 75°C

12.9

KW

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

°C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

3400

V

Montāža Nomākšanas

Signāla termināla skrūve:M4

1.8 līdz 2.1

Jaudas termināla skrūve:M8

8.0 līdz 10

N.m.

Pievienošanas skrūvs:M6

4.25 līdz 5.75

Svars

Masas modulis

2300

G

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =96 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =2400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.70

2.15

V

I C =2400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

2.00

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =2400A, r Gons = 1.2Ω,

r Goff =0.3Ω,

V ĢEN =±15V,T j =25 °C

600

ns

T r

Atkāpšanās laiks

215

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

810

ns

T F

Nolieku laiks

145

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

/

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

/

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =2400A, r Gons = 1.2Ω,

r Goff =0.3Ω,

V ĢEN =±15V,T j = 125°C

695

ns

T r

Atkāpšanās laiks

235

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

970

ns

T F

Nolieku laiks

182

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

488

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

382

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

173

MHz

C ejs

Izvades jauda

9.05

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

7.85

MHz

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V,

T j =125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

9600

A

Q G

nF

V CC = 600V,I C =2400A, V ĢEN =-15 ﹍+15V

23.0

μC

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.42

Ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

10

nH

r CC+EE

Modula vads

pretestība,

termināls uz čipu

0.12

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =2400A

V ĢEN =0V

T j =25 °C

1.65

2.05

V

T j =125 °C

1.65

Q r

Atgūstas

Uzlāde

I F =2400A,

V r =600V,

r Gons =0.3Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

240

μC

T j =125 °C

460

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

1650

A

T j =125 °C

2150

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

/

mJ

T j =125 °C

208

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

11.6

K/kW

r θ JC

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

19.7

K/kW

r θ CS

"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija) (izmantots)

4

K/kW