IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

VTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

IC

Kolektora strāva @ TC=90OC

900

A

ICM

Impulsu kolektora strāva tp=1ms

1800

A

pD

Maksimālā jauda Dissipācija @ Tj=175OC

3409

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

VRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots voltsvecums

1200

V

IF

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde

900

A

IFM

Diodes maksimālā priekšējā strāva tp=1ms

1800

A

IFSM

Pārsprieguma priekšējā strāva tp=10ms @Tj=25OC   @ Tj= 150OC

4100

3000

A

I2T

I2t-vērtība,tp=10ms @ Tj=25OC

@ Tj= 150OC

84000

45000

A2s

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

Tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

OC

Tžop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

OC

TSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

OC

VISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

VCE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

IC= 900A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums Tj=25OC

1.40

1.85

V

IC= 900A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums Tj=125OC

1.60

IC= 900A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums Tj=175OC

1.65

VĢEN(ts)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

IC=24.0mA,VCE=VĢEN, Tj=25OC

5.5

6.3

7.0

V

ITips

Kolektors Izgriežts-Izslēgt

Pašreiz

VCE=VTips,VĢEN=0V,

Tj=25OC

1.0

mA

I=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

VĢEN=V=150 °C,VCE=0V,Tj=25OC

400

nA

rGint

Iekšējā vārtu pretestība- - - -

0.5

Ω

C125 °C

ies

VCE=25V, f=100kHz, VĢEN=0V

51.5

MHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.36

MHz

QG

nF

VĢEN=- 15...+15V

13.6

μC

TD(ieslēgta)

Slēgšanas kavējuma laiks

VCC= 600V,IC= 900A,rG=0.51Ω, Ls=40nH, VĢEN=-8V/+15V,

Tj=25OC

330

ns

Tr

Atkāpšanās laiks

140

ns

Td(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

842

ns

TF

Nolieku laiks

84

ns

Eieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

144

mJ

EIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

87.8

mJ

TD(ieslēgta)

Slēgšanas kavējuma laiks

VCC= 600V,IC= 900A,rG=0.51Ω, Ls=40nH, VĢEN=-8V/+15V,

Tj=125OC

373

ns

Tr

Atkāpšanās laiks

155

ns

Td(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

915

ns

TF

Nolieku laiks

135

ns

Eieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

186

mJ

EIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

104

mJ

TD(ieslēgta)

Slēgšanas kavējuma laiks

VCC= 600V,IC= 900A,rG=0.51Ω, Ls=40nH, VĢEN=-8V/+15V,

Tj=175OC

390

ns

Tr

Atkāpšanās laiks

172

ns

Td(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

950

ns

TF

Nolieku laiks

162

ns

Eieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

209

mJ

EIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

114

mJ

ISC

SC dati

Tp≤8μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

Tj= 150OC,VCC= 800V, VCEM ≤1200V

3200

A

Tp≤6μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

Tj=175OC,VCC= 800V, VCEM ≤1200V

3000

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

VF

Diode uz priekšu

Spriegums

IF= 900A,VĢEN=0V,Tj=25OC

1.55

2.00

V

IF= 900A,VĢEN=0V,Tj=125OC

1.65

IF= 900A,VĢEN=0V,Tj=175OC

1.55

Qr

Atgūstamā nodeva

Vr= 600V,IF= 900A,

-di/dt=4930A/μs,VĢEN=-8V,Garumss=40nH,Tj=25OC

91.0

μC

IRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

441

A

ERec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

26.3

mJ

Qr

Atgūstamā nodeva

Vr= 600V,IF= 900A,

-di/dt=4440A/μs,VĢEN=-8V,Garumss=40nH,Tj=125OC

141

μC

IRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

493

A

ERec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

42.5

mJ

Qr

Atgūstamā nodeva

Vr= 600V,IF= 900A,

-di/dt=4160A/μs,VĢEN=-8V,Garumss=40nH,Tj=175OC

174

μC

IRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

536

A

ERec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

52.4

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of r100

TC=100 OCR100= 493,3Ω

-5

5

%

p25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B25/50

B vērtība

r2=R25eks[B25/501/T2-

1/(298.15K))]

3375

K

B25/80

B vērtība

r2=R25eks[B25/801/T2-

1/(298.15K))]

3411

K

B25/100

B vērtība

r2=R25eks[B25/1001/T2-

1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

GarumsCE

Neatklāta induktantība

20

nH

rCC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.80

mΩ

rTJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)

Savienojums ar korpusu (par Di)ode)

0.044

0.076

K/W

rtCH

Izmērs:IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci.r Diode)

Izmērs:Modulis)

0.028

0.049

0.009

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m.

G

Svars of modulis

350

G