IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

Apraksts

V vērtība

Vienības

VCES

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

VGES

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

IC

Kolektors strāvas @ TC=25°C

Kolektors strāvas @ TC=80°C

5200

A

3600

ICM(1)

Impulsu kolektora strāva tp= 1ms

7200

A

IF

Dioda nepārtraukta tālvadība

3600

A

IFM

Dioda maksimālais virsmais strāvas daudzums @ TC=80°C

7200

A

PD

Maksimālā jaudas izkliede @ Tj=175℃

20

KW

Tj

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

TSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

°C

VISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Montāža

Signāla termināla skrūve:M4

1.8 līdz 2.1

Jaudas termināla skrūve:M8

8.0 līdz 10

N.m.

Nomākšanas

Pievienošanas skrūvs:M6

4.25 līdz 5.75

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ((BR) CES

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

Tj=25°C

1700

V

ICES

Kolektors ir pārklāts ar strāvu

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

5.0

mA

IGES

Izslēguma emitenta noplūde

Pašreiz

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

nA

VGE (viņš)

Vārda emitenta slieksnis

Spriegums

IC=145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

V

VCE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125℃

2.40

2.85

Qg

nF

VGE=-15...+15V

42.0

μC

RGint

iekšējais vārtu pretests

Tj=25°C

0.4

Ω

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25°C

730

ns

tr

Atkāpšanās laiks

205

ns

Td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

1510

ns

TF

Nolieku laiks

185

ns

EON

Ieslēgšanas slēgšanas zudums

498

mJ

EOFF

Izslēgšanas slēgšanas zudums

1055

mJ

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=125℃

785

ns

tr

Atkāpšanās laiks

225

ns

Td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

1800

ns

TF

Nolieku laiks

325

ns

EON

Ieslēgšanas slēgšanas zudums

746

mJ

EOFF

Izslēgšanas slēgšanas zudums

1451

mJ

Cies

ies

VCE=25V, f=1MHz,

VGE=0V

317

MHz

Koši

Izvades jauda

13.2

MHz

Cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

10.5

MHz

ISC

SC dati

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC=1000V, VCEM ≤1700V

14000

A

LCE

Neatklāta induktantība

10

nH

RCC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.12

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =3600A

T j =25 °C

1.80

2.20

V

T j =125 °C

1.90

2.30

Q r

Atgūstamā nodeva

I F =3600A,

V r = 900V,

r Gons =0.4Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

836

μC

T j =125 °C

1451

I RM

Atgriezeniska atgūšana Pašreiz

T j =25 °C

2800

A

T j =125 °C

3300

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

590

mJ

T j =125 °C

1051