IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

1350

900

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1800

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j = 150 O C

7.40

KW

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

900

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1800

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +125

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

2.90

3.35

V

I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

3.60

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 16.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25 O C

5.0

6.1

7.0

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

53.1

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

3.40

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

8.56

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =800A, r G = 1.3Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

90

ns

T r

Atkāpšanās laiks

81

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

500

ns

T F

Nolieku laiks

55

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

36.8

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

41.3

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =800A, r G = 1.3Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125O C

115

ns

T r

Atkāpšanās laiks

92

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

550

ns

T F

Nolieku laiks

66

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

52.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

59.4

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j =125 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

5200

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =800A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

V

I F =800A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.95

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V ĢEN =±15V, T j =25 O C

56

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

550

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

38.7

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V ĢEN =±15V, T j = 125O C

148

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

920

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

91.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

12

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

0.19

mΩ

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

16.9

26.2

K/kW

r θ CS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram IGBT)

Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram diodam)

19.7

30.6

K/kW

r θ CS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju

6.0

K/kW

m

terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M4 Termināla savienojums Griezes moments, Skrūve M8 Monta griezes moments, M6 skrūvis

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.m.

G

Svars of modulis

1500

G