IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD600SGL120C2S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

V

I C

Kolektora strāva @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

950

A

600

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1200

A

I F

Dioda nepārtraukta tālvadība

600

A

I FM

Dioda maksimālais priekšējais krustpunkts īrvalde

1200

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j = 175°C

3750

Platums

T SC

Sīkss savienojums ar šo un laiks

10

μs

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

°C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

°C

I 2T-vērtība, diode

V r =0V,t=10ms,T j =125 °C

74000

A 2s

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Pievienošanas griezes moments

Sistēmas signāla termināls Šķirbju:M4

1.1 līdz 2.0

Jautājumu termināla skrūvs:M6

2,5 līdz 5.0

N.m.

Montāža Šķirbju:M6

3,0 līdz 5.0

Svars

Svars of modulis

300

G

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde

Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis

Spriegums

I C =24 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.9

V

I C = 600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 125°C

2.1

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 600A, r G =3Ω,

V ĢEN = ± 15 V, T j =25 °C

200

ns

T r

Atkāpšanās laiks

62

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

510

ns

T F

Nolieku laiks

V CC = 600V,I C = 600A, r G =3Ω,

V ĢEN = ± 15 V, T j =25 °C

60

ns

E ieslēgta

Slēpšanas pārvēršana

zaudējumi

39

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

48

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 600A,

r G =3Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j = 125°C

210

ns

T r

Atkāpšanās laiks

65

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

600

ns

T F

Nolieku laiks

75

ns

E ieslēgta

Slēpšanas pārvēršana

zaudējumi

45

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

60

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

41.0

MHz

C ejs

Izvades jauda

3.1

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

2.0

MHz

I SC

SC dati

T s C ≤ 10 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C ,

V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC + EE ’

Modula vedlejuma pretestība e, termināls uz čipu

T C =25 °C

0.18

m Ω

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =600A

T j =25 °C

1.8

2.4

V

T j = 125°C

1.9

2.5

Q r

Dioda atkārtots

atgūstamās izmaksas

I F = 600A,

V r =600V,

di/dt=-6000A/μs, V ĢEN =- 15V

T j =25 °C

65

μC

T j = 125°C

100

I RM

Dioda virsmas

Atgriezeniska atgūšana Pašreiz

T j =25 °C

450

A

T j = 125°C

510

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

35

mJ

T j = 125°C

42

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θ JC

Slēgums uz korpusu (IGBT daļa, pe) r Modulis)

0.04

°C /W

r θ JC

Savienojums ar korpusu (dioddārzs, pa modu) (le)

0.09

°C /W

r θ CS

(Vidēja tauku un (attiecīgi)

0.035

°C /W