IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

925

600

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1200

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C

3000

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

600

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1200

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.65

2.00

V

I C = 600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

1.95

I C = 600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =24.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

60.8

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.84

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

4.64

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 600A, r G = 1,2Ω,L s =20nH, V ĢEN =±15V,T j =25 O C

308

ns

T r

Atkāpšanās laiks

42

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

431

ns

T F

Nolieku laiks

268

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

15.7

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

51.3

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 600A, r G = 1,2Ω, Garums s =20 nH ,

V ĢEN =±15V,T j =125 O C

311

ns

T r

Atkāpšanās laiks

49

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

467

ns

T F

Nolieku laiks

351

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

31.1

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

69.4

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 600A, r G = 1,2Ω, Garums s =20 nH ,

V ĢEN =±15V,T j = 150 O C

313

ns

T r

Atkāpšanās laiks

51

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

475

ns

T F

Nolieku laiks

365

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

34.8

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

71.1

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 600A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

I F = 600A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.90

I F = 600A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=13040A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j =25 O C

38.1

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

524

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

34.9

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=11220A/μs,V G E =- 15 V, T j = 125O C

82.8

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

565

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

54.4

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=11040A/μs,V G E =- 15 V, T j = 150O C

94.7

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

589

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

55.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā "Slēpuma pretestība" Nce, termināls uz čipu

0.35

mΩ

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.050

0.080

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: Modulis)

0.033

0.052

0.010

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G