Visas kategorijas

IGBT modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

Sākumlapa /  Produkti /  IGBT modulis /  IGBT modulis 1200V

GD450HTT120C7S,IGBT modulis,STARPOWER

1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HTT120C7S
  • Ievads
  • Kontūra
Ievads

Īss ievads

IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 450A.

Iespējas

  • Zema V CE (sat) IGBT tehnoloģija gj
  • Zema slēgšanas zudumi
  • 10μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • RBSOA kvadrāts
  • V CE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Zema induktivitāte Gadījums
  • Ātrs un mīksts atkalizsildīšanas pretparalels FWD
  • Izolēts vara ba seplata, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiska Lietojumi

  • Inverteris motora vajadzībām Vadība
  • AC un DC serva Vadība pastiprinātājs
  • Nepārtraukta strāva nodrošināšana

IGBT-invertors T C =25 °C ja vien nav norādīts citādi

Maksimālās nominālās vērtības

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD450HTT120C7S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs @ T j =25 °C

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

650

450

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

900

A

p tot

Kopējā jaudas izkliede @ T j =175 °C

2155

Platums

T SC

Slēgtā savienojuma izturēšanās laiks @ T j = 150 °C

10

μs

Neattīrīti

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR) CES

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE =V Tips V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde

Pašreiz

V ĢEN =V =150 °C V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Par raksturlielumiem

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V GE (š)

Vārda emitenta slieksnis

Spriegums

I C = 18,0 mA,V CE =V ĢEN , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.70

2.15

V

I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

1.90

Izmainīt raksturu iztikā

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

V CC = 600V,I C =450A, R G =1,6Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j =25 °C

23.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

31.0

mJ

E tot

Kopēja Izmaiņas zaudējumi

54.0

mJ

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

V CC = 600V,I C =450A, R G =1,6Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j =125 °C

36.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

48.0

mJ

E tot

Kopēja Izmaiņas zaudējumi

84.0

mJ

T d ((on)

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, r G =1,6Ω,

V ĢEN = ± 15 V, T j =25 °C

160

ns

T r

Atkāpšanās laiks

90

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

500

ns

T F

Nolieku laiks

130

ns

T d ((on)

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, r G =1,6Ω,

V ĢEN = ± 15 V, T j =125 °C

170

ns

T r

Atkāpšanās laiks

100

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

570

ns

T F

Nolieku laiks

160

ns

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

32.3

MHz

C ejs

Izvades jauda

1.69

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.46

MHz

I SC

SC dati

T s C 10 μs, V ĢEN 15 V, T j =125 °C ,

V CC = 900V, V CEM 1200V

1800

A

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.7

Ω

Q G

nF

V ĢEN =-15...+15V

4.3

μC

Diodē-invertors T C =25 °C izņemot gadījumus, kad gudrs atzīmēts

Maksimālās nominālās vērtības

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD450HTT120C7S

Vienības

V RRM

Sildītājs-izsildītājs @ T j =25 °C

1200

V

I F

DC priekšējā strāva @ T C =80 °C

450

A

I Diodes uzpriekšējā strāva

Atkārtota maksimālā priekšējā strāva t p = Diodes maksimālā uzpriekšējā

900

A

I 2T

I 2t-vērtība,V r =0V, T p =10 ms, T j = 125°C

35000

A 2s

Raksturlielumu vērtības

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 450A,V ĢEN =0V

T j =25 °C

1.65

2.15

V

T j =125 °C

1.65

Q r

Atgūstamā nodeva

I F = 450A,

V r =600V,

di/dt=-5200A/μs, V ĢEN =-15V

T j =25 °C

45.1

ns

T j =125 °C

84.6

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

316

A

T j =125 °C

404

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

21.1

mJ

T j =125 °C

38.9

Elektromekhāniskais raksturlielumi of NTC T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

r 25

Nominālais pretestība

5.0

ΔR/R

Atkāpe of r 100

T C =100 °C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jaudas izkliede

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

r 2=R 25exp[B 25/50 1/T 2-1/(2 98.1 5K))]

3375

K

IGBT modulis

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC + EE

Modula vedlejuma pretestība Termināls Chipai. @ T C =25 °C

1.1

m Ω

r θJC

Savienojums -uz -Gadījums (perIGBT )

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.058

0.102

K/W

r θCS

(Vidēja tauku un (attiecīgi)

0.005

K/W

T j

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

°C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40

125

°C

Montāža

Nomākšanas

Jaudas termināls Šķirbju:M5

3.0

6.0

N.m.

Montāža Šķirbju:M6

3.0

6.0

N.m.

Svars

Masas modulis

910

G

Kontūra

image(6778dd5b7b).png

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūstiet piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000