Visas kategorijas

IGBT modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

Sākumlapa /  Produkti /  IGBT modulis /  IGBT modulis 1200V

GD450HTL120C7S, IGBT modulis, STARPOWER

1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HTL120C7S
  • Ievads
  • Kontūra
Ievads

Īss ievads

IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 450A.

Iespējas

  • Zema V CE (= 40 ) SPT + IGBT tehnoloģija
  • Zema slēgšanas zudumi
  • 10μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • RBSOA kvadrāts
  • V CE (= 40 ) ar pozitīvs Temperatūra koeficients
  • Zema induktivitātes kārta
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās atveseļošanās pretparalels FWD
  • Izolētas vara bāzes eplate, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

  • Inverteris motora vajadzībām Vadība
  • AC un DC Servo piedziņa apl - Ja
  • Nepārtraukta strāva nodrošināšana

IGBT -Invertors T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Maksimālās nominālās vērtības

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD450HTL120C7S

Vienības

V Tips

Kolektora-emisijas spriegums @ T j =25 °C

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

V

I C

Kolektora strāva @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

900

450

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

900

A

p tot

Kopējā jaudas zudums @ T j = 175°C

3191

Platums

Neattīrīti

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde

Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Par raksturlielumiem

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis

Spriegums

I C = 18,0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

2.00

2.45

V

I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 125°C

2.20

Izmaiņas īpašībās

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

4.6

μC

E ieslēgta

Slēpšanas pārvēršana

zaudējumi

V CC = 600V,I C = 450A, r G =2,3Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j =25 °C

48

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

28

mJ

E tot

Kopēja Izmaiņas zaudējumi

76

mJ

E ieslēgta

Slēpšanas pārvēršana

zaudējumi

V CC = 600V,I C = 450A, r G =2,3Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j = 125°C

66

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

45

mJ

E tot

Kopēja Izmaiņas zaudējumi

111

mJ

D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, r G =2,3Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j =25 °C

205

ns

T r

Atkāpšanās laiks

70

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

465

ns

T F

Nolieku laiks

50

ns

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, r G =2,3Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j = 125°C

225

ns

T r

Atkāpšanās laiks

70

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

520

ns

T F

Nolieku laiks

75

ns

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

31.8

MHz

C ejs

Izvades jauda

2.13

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.41

MHz

I SC

SC dati

T s C 10 μs, V ĢEN 15 V, T j = 125°C V CC =600V, V CEM 1200V

2250

A

r Gint

Iekšējā vārsta pretestība Pretestība

0.7

Ω

Dioda -Invertors T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Maksimālās nominālās vērtības

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD450HTL120C7S

Vienības

V RRM

Kolektora-emisijas spriegums @ T j =25 °C

1200

V

I F

DC priekšējā strāva @ T C =80 °C

450

A

I Diodes uzpriekšējā strāva

Atkārtota maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

900

A

Raksturlielumu vērtības

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 450A, V ĢEN =0V

T j =25 °C

1.80

2.20

V

T j = 125°C

1.90

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600 V,

I F = 450A,

r G =2,3Ω,

V ĢEN =- 15V

T j =25 °C

58

μC

T j = 125°C

99

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

372

A

T j = 125°C

492

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

22

mJ

T j = 125°C

45

Elektromekhāniskais raksturlielumi of NTC T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

r 25

Nominālais pretestība

5.0

∆R/R

Atkāpe of r 100

T C = 100°C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jaudas izkliede

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

r 2=R 25exp[B 25/50 1/T 2- 1/(298.1 5K))]

3375

K

IGBT modulis

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC + EE

Moduļa vadu pretestība, termināls uz mikroshēmu @ T C =25 °C

1.1

m Ω

r θ JC

Savienojums ar lietu (pa IG) BT)

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.047

0.078

K/W

r θ CS

(Vidēja tauku un (attiecīgi)

0.005

K/W

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40

125

°C

Montāža

Nomākšanas

Jautājumu termināla skrūvs:M5

3.0

6.0

N.m.

Montāža Šķirbju:M6

3.0

6.0

N.m.

Svars

Svars of modulis

910

G

Kontūra

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūstiet piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000