IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

680

450

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

900

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175 O C

2173

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

450

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

900

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.70

2.05

V

I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

1.95

I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =11.3 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.7

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

46.6

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.31

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

3.50

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, r G =1,5Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

328

ns

T r

Atkāpšanās laiks

76

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

539

ns

T F

Nolieku laiks

108

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

19.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

46.6

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, r G =1,5Ω,

V ĢEN =±15V, T j =125 O C

376

ns

T r

Atkāpšanās laiks

86

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

595

ns

T F

Nolieku laiks

214

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

36.3

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

53.5

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, r G =1,5Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150 O C

380

ns

T r

Atkāpšanās laiks

89

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

608

ns

T F

Nolieku laiks

232

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

41.7

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

55.5

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j =125 O C

1.65

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j = 150 O C

1.65

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4370A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j =25 O C

29.4

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

275

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

13.2

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4370A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j =125 O C

68.8

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

342

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

31.6

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4370A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j = 150 O C

79.6

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

354

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

35.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā "Slēpuma pretestība" Nce, termināls uz čipu

0.35

mΩ

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.069

0.108

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: Modulis)

0.033

0.051

0.010

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G