IGBT moduļi, 1200V 450A
Īss ievads
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 450A.
Iespējas
Tipiska Lietojumi
Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju | Apraksts | vērtību | Drošības un drošības politika |
V Tips | Sildītājs-izsildītājs | 1200 | V |
V =150 °C | Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums | ±20 | V |
I C | Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =90 O C | 656 450 | A |
I CM | Impulsu kolektora strāva t p =1ms | 900 | A |
p D | Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C | 2054 | Platums |
Dioda
Sīkāku informāciju | Apraksts | vērtību | Drošības un drošības politika |
V RRM | Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums | 1200 | V |
I F | Dioda nepārtraukta uz priekšu īr | 450 | A |
I FM | Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms | 900 | A |
modulis
Sīkāku informāciju | Apraksts | vērtību | Drošības un drošības politika |
T jmax | Maksimālā savienojuma temperatūra | 175 | O C |
T žop | Darbības savienojuma temperatūra | -40 līdz +150 | O C |
T STG | Uzglabāšanas temperatūras diapazons | -40 līdz +125 | O C |
V ISO | Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min | 4000 | V |
IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
V CE (sat) |
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums | I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C |
| 1.70 | 2.15 |
V |
I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C |
| 1.95 |
| |||
I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C |
| 2.00 |
| |||
V ĢEN (ts ) | Vārda emitenta slieksnis Spriegums | I C = 18,0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V |
I Tips | Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz | V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C |
|
| 1.0 | mA |
I =150 °C | Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz | V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C |
|
| 400 | nA |
r Gint | Iekšējā vārtu pretestība |
|
| 0.7 |
| Ω |
C 125 °C | ies | V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V |
| 46.6 |
| MHz |
C pretestība | Atgriezītais pārvedums Jauda |
| 1.31 |
| MHz | |
Q G | nF | V ĢEN =- 15...+15V |
| 3.50 |
| μC |
T D (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 450A, r G =1,5Ω, V ĢEN =±15V, T j =25 O C |
| 328 |
| ns |
T r | Atkāpšanās laiks |
| 76 |
| ns | |
T d(izslēgt) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 539 |
| ns | |
T F | Nolieku laiks |
| 108 |
| ns | |
E ieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 19.5 |
| mJ | |
E Izslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 46.6 |
| mJ | |
T D (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 450A, r G =1,5Ω, V ĢEN =±15V, T j =125 O C |
| 376 |
| ns |
T r | Atkāpšanās laiks |
| 86 |
| ns | |
T d(izslēgt) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 595 |
| ns | |
T F | Nolieku laiks |
| 214 |
| ns | |
E ieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 36.3 |
| mJ | |
E Izslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 53.5 |
| mJ | |
T D (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 450A, r G =1,5Ω, V ĢEN =±15V, T j = 150 O C |
| 380 |
| ns |
T r | Atkāpšanās laiks |
| 89 |
| ns | |
T d(izslēgt) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 608 |
| ns | |
T F | Nolieku laiks |
| 232 |
| ns | |
E ieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 41.7 |
| mJ | |
E Izslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 55.5 |
| mJ | |
I SC |
SC dati | T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V |
|
1800 |
|
A |
Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
V F | Diode uz priekšu Spriegums | I F = 450A,V ĢEN =0V,T j =25 O C |
| 1.90 | 2.35 |
V |
I F = 450A,V ĢEN =0V,T j =1 25O C |
| 2.00 |
| |||
I F = 450A,V ĢEN =0V,T j =1 50O C |
| 2.05 |
| |||
Q r | Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 450A, -di/dt=4370A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j =25 O C |
| 55.2 |
| μC |
I RM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 518 |
| A | |
E Rec | Atgriezeniska atgūšana enerģija |
| 26.0 |
| mJ | |
Q r | Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 450A, -di/dt=4370A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j =125 O C |
| 106 |
| μC |
I RM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 633 |
| A | |
E Rec | Atgriezeniska atgūšana enerģija |
| 47.5 |
| mJ | |
Q r | Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 450A, -di/dt=4370A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j = 150 O C |
| 121 |
| μC |
I RM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 661 |
| A | |
E Rec | Atgriezeniska atgūšana enerģija |
| 53.9 |
| mJ |
modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
Garums CE | Neatklāta induktantība |
|
| 20 | nH |
r CC+EE | Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu |
| 0.35 |
| mΩ |
r TJC | Savienojums ar lietu (par IGB) T) Savienojums ar korpusu (par Di) ode) |
|
| 0.073 0.128 | K/W |
r tCH | Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet) |
| 0.031 0.055 0.010 |
| K/W |
m | terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | N.m. |
G | Svars of modulis |
| 300 |
| G |
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.