IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±30

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C = 95 O C

685

450

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

900

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C

2206

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

450

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

900

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

1.95

I C = 450A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 18,0 mA,V CE =V ĢEN , T j =25 O C

5.0

5.6

6.5

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.7

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

39.0

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

1.26

MHz

Q G

nF

V ĢEN =15V

2.46

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, r G = 1.5Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

360

ns

T r

Atkāpšanās laiks

140

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

550

ns

T F

Nolieku laiks

146

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

11.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

48.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, r G = 1.5Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125O C

374

ns

T r

Atkāpšanās laiks

147

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

623

ns

T F

Nolieku laiks

178

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

17.9

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

64.5

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, r G = 1.5Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150O C

381

ns

T r

Atkāpšanās laiks

152

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

636

ns

T F

Nolieku laiks

184

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

19.6

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

69.0

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.72

2.12

V

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.73

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.74

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=3000A/μs,V ĢEN =-15V, T j =25 O C

40.3

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

258

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

19.0

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=3000A/μs,V ĢEN =-15V, T j = 125O C

71.9

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

338

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

39.1

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=3000A/μs,V ĢEN =-15V, T j = 150O C

79.3

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

352

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

41.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

0.35

mΩ

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T) Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.068 0.117

K/W

r θ CS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram IGBT) Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram diodam)

0.111 0.190

K/W

r θ CS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju

0.035

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Svars modulis

300

G