Visas kategorijas

IGBT modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

Sākumlapa /  Produkti /  IGBT modulis /  IGBT modulis 1200V

GD450HFT120C2S_G8,IGBT modulis,STARPOWER

1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFT120C2S_G8
  • Ievads
  • Kontūra
Ievads

Īss ievads

IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 450A.

Iespējas

  • Zema V CE (= 40 ) Grīdas IGBT tehnoloģija
  • 10μs īss īssavienojuma spējas ība
  • V CE (= 40 ) ar pozitīvs Temperatūra koeficients
  • Maksimālā Junkcijas temperatūra 175O C
  • Zema induktivitāte Gadījums
  • Ātra & maiga atpakaļatgriešanās anti-paralēlais FWD
  • Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiska Lietojumi

  • Inverteris motora vajadzībām D Rīve
  • AC un DC serva Vadība pastiprinātājs
  • Neapstrādāts spēks r piedāvājums

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±30

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C = 95 O C

685

450

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p = Diodes maksimālā uzpriekšējā

900

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C

2206

Platums

Dioda

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

450

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p = Diodes maksimālā uzpriekšējā

900

A

modulis

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 450A,V ĢEN = 15 V, T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C = 450A,V ĢEN = 15 V, T j =125 O C

1.95

I C = 450A,V ĢEN = 15 V, T j = 150 O C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 18,0 mA,V CE =V ĢEN , T j =25 O C

5.0

5.6

6.5

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.7

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

39.0

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.26

MHz

Q G

nF

V ĢEN = 15V

2.46

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, r G = 1.5Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

360

ns

T r

Atkāpšanās laiks

140

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

550

ns

T F

Nolieku laiks

146

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

11.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

48.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, r G = 1.5Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125O C

374

ns

T r

Atkāpšanās laiks

147

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

623

ns

T F

Nolieku laiks

178

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

17.9

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

64.5

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, r G = 1.5Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150O C

381

ns

T r

Atkāpšanās laiks

152

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

636

ns

T F

Nolieku laiks

184

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

19.6

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

69.0

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN = 15 V,

T j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.72

2.12

V

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.73

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.74

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=3000A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j =25 O C

40.3

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

258

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

19.0

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=3000A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j = 125O C

71.9

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

338

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

39.1

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=3000A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j = 150O C

79.3

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

352

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

41.8

mJ

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

0.35

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.068

0.117

K/W

r θ CS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram IGBT)

Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram diodam)

0.111

0.190

K/W

r θ CS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju

0.035

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars modulis

300

G

Kontūra

image(c3756b8d25).png

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūstiet piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000