IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD400SGT120C2S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

680

400

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1 Lūdzu

800

A

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

@ T C =80 °C

400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =1 75°C

2419

Platums

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Montāža Nomākšanas

Jautājumu termināla skrūvs:M4

Jautājumu termināla skrūvs:M6

1.1 līdz 2.0

2,5 līdz 5.0

N.m.

Pievienošanas skrūvs:M6

3,0 līdz 5.0

N.m.

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 16.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.70

2.05

V

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

2.00

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G = 1,8Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 °C

251

ns

T r

Atkāpšanās laiks

89

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

555

ns

T F

Nolieku laiks

128

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

23.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

39.5

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G = 1,8Ω,

V ĢEN =±15V, T j =125 °C

302

ns

T r

Atkāpšanās laiks

101

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

650

ns

T F

Nolieku laiks

179

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

33.1

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

58.9

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

28.8

MHz

C ejs

Izvades jauda

1.51

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.31

MHz

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V,

T j =125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.9

Ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modula vads

pretestība,

termināls uz čipu

0.18

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =400A

T j =25 °C

1.65

2.10

V

T j =125 °C

1.65

Q r

Atgūstas

Uzlāde

I F =400A,

V r =600V,

r G = 1,8Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

39.8

μC

T j =125 °C

75.1

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

275

A

T j =125 °C

362

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

18.0

mJ

T j =125 °C

34.1

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

0.067

K/W

r θ JC

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.124

K/W

r θ CS

"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija) (izmantots)

0.035

K/W

Svars

Svars modulis

300

G