IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 16.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.70

2.15

V

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

2.00

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 °C

2.10

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G = 1,8Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 °C

250

ns

T r

Atkāpšanās laiks

39

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

500

ns

T F

Nolieku laiks

100

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

17.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

42.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G = 1,8Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125°C

299

ns

T r

Atkāpšanās laiks

46

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

605

ns

T F

Nolieku laiks

155

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

25.1

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

61.9

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G = 1,8Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150°C

320

ns

T r

Atkāpšanās laiks

52

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

625

ns

T F

Nolieku laiks

180

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

30.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

66.8

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

28.8

MHz

C ejs

Izvades jauda

1.51

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.31

MHz

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V,

T j =125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.9

Ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modula vads

pretestība,

termināls uz čipu

0.35

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =400A,

V ĢEN =0V

T j =25 °C

1.65

2.15

V

T j =125 °C

1.65

T j = 150 °C

1.65

Q r

Atgūstamā nodeva

I F =400A,

V r =600V,

r G = 1,8Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

44

μC

T j =125 °C

78

T j = 150 °C

90

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

490

A

T j =125 °C

555

T j = 150 °C

565

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

19.0

mJ

T j =125 °C

35.1

T j = 150 °C

38.8

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

0.059

K/W

r θ JC

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.106

K/W

r θ CS

"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija) (izmantots)

0.035

K/W