IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

700

400

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

800

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175 O C

2542

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

2.00

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.10

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 16.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.9

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

28.8

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.31

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

1.20

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G = 1,8Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

250

ns

T r

Atkāpšanās laiks

39

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

500

ns

T F

Nolieku laiks

100

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

17.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

42.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G = 1,8Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125O C

299

ns

T r

Atkāpšanās laiks

46

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

605

ns

T F

Nolieku laiks

155

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

25.1

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

61.9

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G = 1,8Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150O C

320

ns

T r

Atkāpšanās laiks

52

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

625

ns

T F

Nolieku laiks

180

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

30.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

66.8

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC =600V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =400A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.65

I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,

V ĢEN =- 15 V, T j =25 O C

44

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

490

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

19.0

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,

V ĢEN =- 15 V, T j = 125O C

78

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

555

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

35.1

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,

V ĢEN =- 15 V, T j = 150O C

90

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

565

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

38.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of r 100

T C = 100O C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jaudas izkliede

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.059

0.106

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: Modulis)

0.109

0.196

0.035

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G