IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

659

400

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

800

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C

2727

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1700

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

2.00

2.45

V

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

2.40

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.50

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 16.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25 O C

5.4

6.2

7.4

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

27.0

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.92

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

3.08

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =400A, r G = 2,2Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 O C

367

ns

T r

Atkāpšanās laiks

112

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

523

ns

T F

Nolieku laiks

236

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

42.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

76.7

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =400A, r G = 2,2Ω,V ĢEN =±15V, T j = 125O C

375

ns

T r

Atkāpšanās laiks

116

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

599

ns

T F

Nolieku laiks

458

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

58.7

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

109

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =400A, r G = 2,2Ω,V ĢEN =±15V, T j = 150O C

377

ns

T r

Atkāpšanās laiks

120

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

611

ns

T F

Nolieku laiks

560

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

73.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

118

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =400A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.90

I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 900V,I F =400A,

-di/dt=2900A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j =25 O C

101

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

488

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

71.1

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 900V,I F =400A,

-di/dt=2900A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j = 125O C

150

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

562

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

106

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 900V,I F =400A,

-di/dt=2900A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j = 150O C

160

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

575

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

112

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā "Slēpuma pretestība" Nce, termināls uz čipu

0.35

mΩ

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.055

0.105

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode)

Izmērs: (atkārtojiet)

0.107

0.204

0.035

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G