IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD400HFL120C2S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

730

400

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1 Lūdzu

800

A

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =1 75°C

2778

Platums

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

°C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Montāža Nomākšanas

Jautājumu termināla skrūvs:M6

Pievienošanas skrūvs:M6

2,5 līdz 5.0

3,0 līdz 5.0

N.m.

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 16.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.90

2.35

V

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

2.10

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G =4. 1Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 °C

910

ns

T r

Atkāpšanās laiks

200

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

848

ns

T F

Nolieku laiks

110

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

33.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

39.5

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G =4. 1Ω,

V ĢEN =±15V, T j =125 °C

1047

ns

T r

Atkāpšanās laiks

201

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

998

ns

T F

Nolieku laiks

150

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

46.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

57.6

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

29.7

MHz

C ejs

Izvades jauda

2.08

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.36

MHz

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V,

T j =125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.5

Ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

18

nH

r CC+EE

Modula vads

pretestība,

termināls uz čipu

0.32

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =400A

T j =25 °C

1.80

2.20

V

T j =125 °C

1.85

Q r

Atgūstas

Uzlāde

I F =400A,

V r =600V,

r G =4. 1Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

26

μC

T j =125 °C

49

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

212

A

T j =125 °C

281

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

23.4

mJ

T j =125 °C

33.8

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

0.054

K/W

r θ JC

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.093

K/W

r θ CS

"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija) (izmantots)

0.032

K/W

Svars

Svars modulis

350

G