IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD400HFL120C2SN

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

650

A

400

I CM(1)

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

800

A

I F

Dioda nepārtraukta tālvadība @ T C =80 °C

400

A

I FM

Dioda maksimālais priekšējais strāvas plūsma n

800

A

p D

Maksimālā jauda T j = 150 °C

2450

Platums

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

°C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montāža

Jaudas termināls Šķirbju:M6

2,5 līdz 5.0

N.m.

Nomākšanas

Montāža Šķirbju:M6

3,0 līdz 5.0

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR) CES

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE =V Tips V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde

Pašreiz

V ĢEN =V =150 °C V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V GE (š)

Vārda emitenta slieksnis

Spriegums

I C = 16mA,V CE =V ĢEN , T j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.90

2.35

V

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

2.10

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T d ((on)

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G =4.1Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j =25 °C

910

ns

T r

Atkāpšanās laiks

200

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

848

ns

T F

Nolieku laiks

110

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

33.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

39.5

mJ

T d ((on)

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G =4.1Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j =125 °C

1047

ns

T r

Atkāpšanās laiks

201

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

998

ns

T F

Nolieku laiks

150

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

46.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

57.6

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

29.7

MHz

C ejs

Izvades jauda

2.08

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.36

MHz

I SC

SC dati

T s C ≤ 10 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j =25 °C V CC =600V,

V CEM ≤ 1200V

1800

A

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība

0.5

Ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC + EE ’

Modulā "Slēpuma pretestība" nce, termināls uz čipu

T C =25 °C

0.35

m Ω

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =400A

T j =25 °C

1.80

2.40

V

T j =125 °C

1.85

Q r

Atgūstamā nodeva

I F =400A,

V r =600V,

di/dt=-2680A/μs, V ĢEN =-15V

T j =25 °C

26

μC

T j =125 °C

49

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

212

A

T j =125 °C

281

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

13.4

mJ

T j =125 °C

23.8

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θJC

Savienojums -uz -Gadījums (perIGBT )

0.051

K/W

r θJC

Savienojums ar lietu (par Diodēns)

0.072

K/W

r θCS

"Case-to-Sink" (vadījoša tauku) piemērota)

0.035

K/W

Svars

Masas modulis

300

G