IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±30

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

630

400

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

800

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C

2083

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

1.95

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 16.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25 O C

5.0

5.7

6.5

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =30V,f=1MHz,

V ĢEN =0V

39.6

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.20

MHz

Q G

nF

V ĢEN =15V

2.40

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

408

ns

T r

Atkāpšanās laiks

119

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

573

ns

T F

Nolieku laiks

135

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

10.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

36.2

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125O C

409

ns

T r

Atkāpšanās laiks

120

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

632

ns

T F

Nolieku laiks

188

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

13.2

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

53.6

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150O C

410

ns

T r

Atkāpšanās laiks

123

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

638

ns

T F

Nolieku laiks

198

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

14.4

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

56.1

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =400A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.85

I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.85

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =400A,

-di/dt=3350A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 O C

40.5

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

259

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

19.7

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =400A,

-di/dt=3350A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 125O C

67.9

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

323

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

32.6

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =400A,

-di/dt=3350A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150O C

77.7

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

342

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

38.3

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

0.35

mΩ

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.072

0.095

K/W

r θ CS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram IGBT)

Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram diodam)

0.088

0.116

K/W

r θ CS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju

0.035

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars modulis

300

G